[發明專利]R-T-B類稀土磁體粉末、R-T-B類稀土磁體粉末的制造方法和粘結磁體

有效

• 申請號: 201410086934.1
• 申請日: 2014-03-11
• 公開（公告）號: CN104051103B
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發明（設計）人: 片山信宏;川崎浩史;森本耕一郎
• 申請（專利權）人: 戶田工業株式會社
• 主分類號: H01F1/057
• 分類號: H01F1/057;H01F1/06;B22F9/22
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種R-T-B類稀土磁體粉末，其特征在于：

含有R、T、B和Al，其中，R為包括Y的一種以上的稀土元素，T為Fe、或Fe和Co，B為硼，Al為鋁，

該粉末的平均組成中，R量為12.5at.％以上14.3at.％以下，B量為4.5at.％以上7.5at.％以下，Al量小于1.0at.％，

該粉末包括含有R₂T₁₄B磁性相的晶粒和晶界相，

晶界相由R、T、B、Al和選自Ga、Zr、Ti、V、Nb、Si、Cr、Mn、Zn、Mo、Hf、W、Ta、Sn中的一種或二種以上的元素構成，其中，R為包括Y的一種以上的稀土元素，T為Fe、或Fe和Co，B為硼，Al為鋁，

晶界相的組成中，R量為13.5at.％以上30at.％以下、Al量為1.5at.％以下。

2.一種R-T-B類稀土磁體粉末，其特征在于：

含有R、T、B和Al，其中，R為包括Y的一種以上的稀土元素，T為Fe、或Fe和Co，B為硼，Al為鋁，

該粉末的平均組成中，R量為12.5at.％以上14.3at.％以下，B量為4.5at.％以上7.5at.％以下，Al量小于1.0at.％，

該粉末包括含有R₂T₁₄B磁性相的晶粒和晶界相，

晶界相由R、T、B和Al構成，其中，R為包括Y的一種以上的稀土元素，T為Fe、或Fe和Co，B為硼，Al為鋁，

晶界相的組成中，R量為13.5at.％以上30at.％以下、Al量為1.5at.％以下。

3.如權利要求1或2所述的R-T-B類稀土磁體粉末，其特征在于：

R-T-B類稀土磁體粉末還含有Ga和Zr，

該粉末的平均組成中，Co量為10.0at.％以下，Ga量為0.1at.％以上1.0at.％以下，Zr量為0.05at.％以上0.15at.％以下。

4.一種權利要求1所述的R-T-B類稀土磁體粉末的制造方法，其特征在于：

將含有Al、且Al含量小于1.5at.％的R-T-B類稀土磁體粉末在真空或Ar氛圍中以670℃以上820℃以下的溫度進行30分鐘以上300分鐘以下的熱處理，

所述R-T-B類稀土磁體粉末通過對原料合金進行HDDR處理而獲得，所述原料合金由R、T、B、A1和選自Ga、Zr、Ti、V、Nb、Si、Cr、Mn、Zn、Mo、Hf、W、Ta、Sn中的一種或二種以上的元素構成，其中，R為包括Y的一種以上的稀土元素，T為Fe、或Fe和Co，B為硼，Al為鋁。

5.一種權利要求2所述的R-T-B類稀土磁體粉末的制造方法，其特征在于：

將含有Al、且Al含量小于1.5at.％的R-T-B類稀土磁體粉末在真空或Ar氛圍中以670℃以上820℃以下的溫度進行30分鐘以上300分鐘以下的熱處理，

所述R-T-B類稀土磁體粉末通過對原料合金進行HDDR處理而獲得，所述原料合金由R、T、B和A1構成，其中，R為包括Y的一種以上的稀土元素，T為Fe、或Fe和Co，B為硼，Al為鋁。

6.如權利要求4或5所述的R-T-B類稀土磁體粉末的制造方法，其特征在于：

原料合金的組成中，R量為12.5at.％以上14.3at.％以下，B量為4.5at.％以上7.5at.％以下，A1量小于1.5at.％。

7.如權利要求4或5所述的R-T-B類稀土磁體粉末的制造方法，其特征在于：

原料合金含有Ga和Zr，

該原料合金的組成中，Co量為10.0at.％以下，Ga量為0.1at.％以上1.0at.％以下，Zr量為0.05at.％以上0.15at.％以下。

8.一種使用權利要求1～3中任一項所述的R-T-B類稀土磁體粉末的粘結磁體。