[發(fā)明專(zhuān)利]一種氮化鎵薄膜的大面積連續(xù)無(wú)損激光剝離方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410086759.6 | 申請(qǐng)日: | 2014-03-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103839777A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-06-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭恩卿;伊?xí)匝?/a>;劉志強(qiáng);王國(guó)宏;王軍喜;李晉閩 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/02 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/02;B23K26/36 |
| 代理公司: | 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 任巖 |
| 地址: | 100083 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 氮化 薄膜 大面積 連續(xù) 無(wú)損 激光 剝離 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件制造工藝技術(shù)領(lǐng)域,特別是指一種氮化鎵薄膜的大面積連續(xù)無(wú)損激光剝離方法。
背景技術(shù)
目前在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)氮化鎵薄膜是應(yīng)用最廣泛的一種氮化鎵材料的生長(zhǎng)技術(shù)。由于藍(lán)寶石襯底絕緣且導(dǎo)熱性能差,制約了由在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)的氮化鎵薄膜制作的氮化鎵基光電器件的性能,因此將藍(lán)寶石襯底替換為新襯底的技術(shù)得到了廣泛的研究。其中激光剝離技術(shù)能將氮化鎵薄膜和藍(lán)寶石襯底分離開(kāi),為解決替換藍(lán)寶石襯底這一技術(shù)問(wèn)題提供了很好的解決方案。但是激光剝離分解界面的氮化鎵薄膜時(shí)會(huì)產(chǎn)生氮?dú)猓纬奢^大的沖擊波,造成接受激光光斑的氮化鎵薄膜四周開(kāi)裂,因此不能得到大面積連續(xù)無(wú)損的氮化鎵薄膜。
為了解決這個(gè)問(wèn)題,需要采用面積特別小的激光光斑掃描,以減少單次照射產(chǎn)生的沖擊波,然而這大大增加了設(shè)備運(yùn)動(dòng)平臺(tái)的負(fù)擔(dān),使加工速度大幅下降。
發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問(wèn)題
有鑒于此,本發(fā)明的主要目的在于提供一種氮化鎵薄膜的大面積連續(xù)無(wú)損激光剝離方法,以消除和減小氮化鎵激光剝離時(shí)產(chǎn)生的沖擊波影響,提高加工速度。
(二)技術(shù)方案
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明提供了一種氮化鎵薄膜的大面積連續(xù)無(wú)損激光剝離方法,該方法包括:取在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)了氮化鎵薄膜的外延片;在氮化鎵薄膜的表面沉積過(guò)渡層;在過(guò)渡層表面制作轉(zhuǎn)移襯底;以及采用步進(jìn)掃描方式的長(zhǎng)條形激光光斑掃描照射整個(gè)拋光過(guò)的藍(lán)寶石襯底的背面,實(shí)現(xiàn)藍(lán)寶石襯底與氮化鎵薄膜的整體分離。
上述方案中,所述在氮化鎵薄膜的表面沉積過(guò)渡層,是采用電子束蒸發(fā)技術(shù)在氮化鎵薄膜表面沉積多層金屬層,該多層金屬層作為過(guò)渡層。所述多層金屬層是Ni、Ag、Pt、Au和AuSn合金的組合。
上述方案中,所述在過(guò)渡層表面制作轉(zhuǎn)移襯底,包括:取表面鍍金的鎢銅合金或者鉬銅合金圓片作為轉(zhuǎn)移襯底,在該鎢銅合金或者鉬銅合金圓片中含有5%-25%重量的銅;以及將該轉(zhuǎn)移襯底通過(guò)熱壓鍵合的方式連接在過(guò)渡層之上。所述將該轉(zhuǎn)移襯底通過(guò)熱壓鍵合的方式連接在過(guò)渡層之上,鍵合溫度在270-330攝氏度之間,壓力取1-500kg,恒溫恒壓時(shí)間10-60秒。
上述方案中,所述采用步進(jìn)掃描方式的長(zhǎng)條形激光光斑掃描照射整個(gè)拋光過(guò)的藍(lán)寶石襯底的背面,包括:將激光剝離設(shè)備產(chǎn)生的激光光斑調(diào)整為長(zhǎng)條形,采用步進(jìn)掃描方式的長(zhǎng)條形激光光斑掃描照射整個(gè)拋光過(guò)的藍(lán)寶石的背面,使前后左右的激光光斑正好對(duì)接,從而實(shí)現(xiàn)藍(lán)寶石與氮化鎵薄膜的整體分離。所述長(zhǎng)條形激光光斑的長(zhǎng)度范圍為100微米至10000微米,寬度范圍為0.1微米至50微米。
(三)有益效果
本發(fā)明采用長(zhǎng)條形平頂激光光斑進(jìn)行掃描,在相同激光光斑面積的情況下,相比傳統(tǒng)的正方形激光光斑,對(duì)剝離界面兩邊產(chǎn)生的沖擊力矩要小得多,既能保證剝離大面積的氮化鎵薄膜樣品無(wú)裂紋,又能獲得可接受的加工速率。如果采用傳統(tǒng)的正方形激光光斑進(jìn)行激光剝離,為了保證氮化鎵薄膜不產(chǎn)生裂紋,必須要將光斑面積設(shè)置得非常小,大大延長(zhǎng)了加工時(shí)間和加工成本,使得這種正方形激光剝離方法不能用于剝離大面積連續(xù)氮化鎵薄膜的實(shí)際生產(chǎn),而利用本發(fā)明卻可以較快而有效地制備大面積的無(wú)裂紋連續(xù)氮化鎵薄膜。本發(fā)明尤其對(duì)目前氮化鎵基垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管、氮化鎵單晶的制造工藝的進(jìn)步具有十分重要的作用。
附圖說(shuō)明
圖1是在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)了氮化鎵薄膜的外延片的截面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是制作了轉(zhuǎn)移襯底的外延片的截面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是長(zhǎng)條形激光光斑掃描圓片的路徑俯視示意圖,圓片的截面結(jié)構(gòu)為圖2中所示的結(jié)構(gòu),藍(lán)寶石表面朝上,圖中虛線(xiàn)為掃描路徑。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合具體實(shí)施例,并參照附圖,對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
在附圖中,為了方便和解釋清楚起見(jiàn),各層的厚度或尺寸可以放大、縮小或示意性示出,各構(gòu)成部分的尺寸不必或可以不必反映其實(shí)際尺寸。
本發(fā)明提供的這種氮化鎵薄膜的大面積連續(xù)無(wú)損激光剝離方法,包括以下步驟:
步驟1:取在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)了氮化鎵薄膜的外延片;
步驟2:在氮化鎵薄膜的表面沉積過(guò)渡層;
在本步驟中,在氮化鎵薄膜的表面沉積過(guò)渡層,是采用電子束蒸發(fā)技術(shù)在氮化鎵薄膜表面沉積多層金屬層,該多層金屬層作為過(guò)渡層,該多層金屬層是Ni、Ag、Pt、Au和AuSn合金的組合。
步驟3:在過(guò)渡層表面制作轉(zhuǎn)移襯底;
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H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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