[發(fā)明專(zhuān)利]一種提高LED集成光源光通量輸出的結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410086672.9
• 申請(qǐng)日: 2014-03-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103887298A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊人毅
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 易美芯光（北京）科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L25/075
• 分類(lèi)號(hào): H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 北京和信華成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11390
• 代理人: 胡劍輝

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種LED結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種提高LED集成光源光通量輸出的結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

GaN?LED芯片，也可以理解為發(fā)光二極管，其粘結(jié)在基板（鋁基，銅基或陶瓷等）的上表面。所述芯片的正負(fù)極通過(guò)金屬導(dǎo)線（金線，鋁線等）相互串聯(lián)或并聯(lián)，并且串聯(lián)的首尾通過(guò)金屬導(dǎo)線連接到鋁基板的正負(fù)電極線路層。這樣陣列GaN?LED芯片就構(gòu)成能夠承載一定電壓（串聯(lián)電壓的相加）、一定電流（并聯(lián)電流相加）的電器件。GaN?LED芯片上面覆蓋有硅膠（包括混有熒光粉硅膠），硅膠周?chē)粐鷫喂枘z圍欄。當(dāng)這樣構(gòu)成的器件通上電流和電壓的時(shí)候，陣列GaN?LED芯片構(gòu)成了藍(lán)光LED集成光源。如果硅膠中混有熒光粉成為熒光粉膠的時(shí)候，部分GaN?LED發(fā)出的藍(lán)光激發(fā)熒光粉產(chǎn)生黃光。這種光組合就構(gòu)成了白光LED集成光源，如圖1和圖2所示。

當(dāng)前的技術(shù)中，GaN?LED芯片發(fā)出藍(lán)光，藍(lán)光射到熒光粉顆粒，顆粒被激發(fā)后發(fā)出光，到達(dá)線路層的垂直墻后被反射，反射光有些不能到達(dá)硅膠和空氣的界面，如圖3的光線1和光線2；有些反射光即使到達(dá)硅膠和空氣的界面，如光線3，也由于它對(duì)界面的入射角大于界面全反射臨界角，還是不能走出硅膠到達(dá)空氣中。類(lèi)似的光線由于不能走出硅膠到達(dá)空氣中而最終被硅膠吸收，轉(zhuǎn)換成熱能。所以，線路層的有垂直墻的結(jié)構(gòu)的LED集成光源，由部分結(jié)構(gòu)造成的光通量損失，如圖3所示。

發(fā)明內(nèi)容

為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種提高LED集成光源光通量輸出的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括：基板；所述基板上的線路層；所述基板上的GaN?LED芯片陣列；以及GaN?LED芯片陣列之間、且存在于GaN?LED芯片陣列與線路層之間的熒光粉硅膠層；圍壩膠鄰接于熒光粉硅膠層、所述線路層；其特征在于，面向所述GaN?LED芯片陣列的所述絕緣層表面形成為斜坡墻。

進(jìn)一步地，所述線路層包括所述基板上的絕緣層、所述絕緣層上的導(dǎo)電銅層以及阻焊層。

進(jìn)一步地，所述圍壩膠鄰接于熒光粉硅膠層、導(dǎo)電銅層和阻焊層。

進(jìn)一步地，存在多個(gè)金屬導(dǎo)線，一部分金屬導(dǎo)線連接導(dǎo)電銅層和臨近的GaN?LED芯片的正極，另一部分金屬導(dǎo)線連接導(dǎo)電銅層和臨近的GaN?LED芯片的負(fù)極，另一部分金屬導(dǎo)線連接一GaN?LED芯片的正極和另一GaNLED芯片的負(fù)極。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：

本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了改變LED集成光源中光路，使得硅膠中水平行走的光，走出硅膠，到達(dá)空氣中，從而提高光通量輸出。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一種線路層上有垂直反射墻的LED集成光源結(jié)構(gòu)。

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中和本發(fā)明技術(shù)中的一種LED集成光源頂視圖。

圖3為現(xiàn)有技術(shù)中的LED集成光源結(jié)構(gòu)的光路圖。

圖4為本發(fā)明的一種線路層上有斜坡反射墻的LED集成光源結(jié)構(gòu)。

圖5為本發(fā)明的LED集成光源結(jié)構(gòu)的光路圖。

具體實(shí)施方式

如圖4所示，本發(fā)明公開(kāi)了一種提高LED集成光源光通量輸出的結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)包括：基板；所述基板上的線路層；所述基板上的GaN?LED芯片陣列；以及GaN?LED芯片陣列之間、且存在于GaN?LED芯片陣列與線路層之間的熒光粉硅膠層；其中，所述線路層包括所述基板上的絕緣層、所述絕緣層上的導(dǎo)電同層以及阻焊層，圍壩膠鄰接于熒光粉硅膠層、導(dǎo)電銅層和阻焊層，面向所述GaN?LED芯片陣列的所述絕緣層表面形成為斜坡墻。存在多個(gè)金屬導(dǎo)線，一部分金屬導(dǎo)線連接導(dǎo)電銅層和一GaN?LED芯片的正極，另一部分金屬導(dǎo)線連接導(dǎo)電銅層和臨近的GaN?LED芯片的負(fù)極，另一部分金屬導(dǎo)線連接一GaN?LED芯片的正極和另一GaN?LED芯片的負(fù)極。

所述GaN?LED芯片發(fā)出藍(lán)光，藍(lán)光出射到熒光粉顆粒，顆粒被激發(fā)后發(fā)出光，到達(dá)線路層的斜坡墻后被反射，光線的線路被改變。值得注意的是，本發(fā)明的斜坡墻結(jié)構(gòu)被調(diào)整為小于界面臨界角的光線，從而使得光線能夠順利穿出硅膠到達(dá)空氣中。如圖5所示，采用該結(jié)構(gòu)的LED集成光源，改變了LED集成光源中光路，使得硅膠中水平行走的光穿出了硅膠，到達(dá)空氣中，從而大大提高了光通量輸出。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。