[發明專利]低溫離子注入方法

有效

• 申請號: 201410085914.2
• 申請日: 2011-03-17
• 公開（公告）號: CN103834925B
• 公開（公告）日: 2017-01-11
• 發明（設計）人: 約翰·D·波拉克;萬志民;艾瑞克·科拉
• 申請（專利權）人: 漢辰科技股份有限公司
• 主分類號: C23C14/48
• 分類號: C23C14/48
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 徐潔晶

1.一種低溫離子注入方法，包含：

將一襯底由一外界環境移入一腔室，其中所述外界環境具有一外界環境溫度；

進行一冷卻程序，以使所述襯底的一襯底溫度降至低于所述外界環境溫度；

進行一注入程序且持續進行所述冷卻程序，以同時冷卻所述襯底以及將離子注入所述襯底；

完成所述冷卻程序，并持續進行所述注入程序，以將離子注入所述襯底；

完成所述注入程序，之后進行一加熱程序，以加熱所述襯底；以及

將所述襯底由所述腔室移至所述外界環境。

2.如權利要求1所述的低溫離子注入方法，其特征在于，所述冷卻程序與所述注入程序同時進行直到所述襯底溫度與一預定注入溫度實質相等為止。

3.如權利要求1所述的低溫離子注入方法，其特征在于，所述注入程序在所述襯底溫度低于水的冰點開始。

4.如權利要求1所述的低溫離子注入方法，其特征在于，同時進行離子注入以及冷卻所述襯底的期間與所述冷卻程序的總期間的比值不大于一半。

5.如權利要求1所述的低溫離子注入方法，其特征在于，同時進行離子注入以及冷卻所述襯底的期間與所述冷卻程序的總期間的比值不小于一半。

6.如權利要求1所述的低溫離子注入方法，其特征在于，完成所述冷卻程序的一時間點不晚于所述注入程序的期間的一半。

7.如權利要求1所述的低溫離子注入方法，其特征在于，還包含以下一或多個步驟：

以一氣體冷卻所述襯底的背面，以及改變所述氣體的壓力以調整所述襯底溫度；以及

以一燈具加熱所述襯底，以及改變所述燈具的功率以調整所述襯底溫度。

8.一種低溫離子注入方法，包含：

在一腔室中提供一離子束，以及將一襯底由一外界環境移入所述腔室；

進行一冷卻程序，以冷卻所述襯底；

進行一注入程序，以將離子注入所述襯底，其中，一或多個溫度調整程序以及所述注入程序的一部分期間或多個部分期間同時進行；

進行一加熱程序，以加熱所述襯底；以及

將所述襯底由所述腔室移至所述外界環境。

9.如權利要求8所述的低溫離子注入方法，其特征在于，進行所述溫度調整程序的期間與所述注入程序的總期間的比值不大于一半。

10.如權利要求8所述的低溫離子注入方法，其特征在于，進行所述溫度調整程序的期間與所述注入程序的總期間的比值不小于一半。

11.如權利要求8所述的低溫離子注入方法，其特征在于，所述注入程序在所述襯底溫度由所述冷卻程序降低至實質與一預定注入溫度相等時開始。

12.如權利要求8所述的低溫離子注入方法，其特征在于，所述加熱程序在所述襯底溫度不低于所述外界環境的水的露點時完成。

13.如權利要求8所述的低溫離子注入方法，其特征在于，還包含以下一或多個步驟：

以一氣體冷卻所述襯底的背面，以及改變所述氣體的壓力以調整所述襯底溫度；以及

以一燈具加熱所述襯底，以及改變所述燈具的功率以調整所述襯底溫度。