[發(fā)明專利]MEMS傳感器的加工方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410085898.7
• 申請日: 2014-03-10
• 公開（公告）號: CN103832967A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 顏毅林;徐元俊;戴竝盈;孫鈞;劉偉
• 申請（專利權(quán)）人: 上海先進半導體制造股份有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 上海專利商標事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 徐潔晶

1.一種MEMS傳感器的加工方法，包括步驟：

A.提供硅襯底（100）；

B.在所述硅襯底（100）的正面和背面分別形成刻蝕阻擋層（102）；

C.在所述刻蝕阻擋層（102）上分別形成第一電極層（104）；

D.對所述硅襯底（100）正面的所述第一電極層（104）作圖形化；

E.在所述第一電極層（104）上分別形成犧牲層（106），所述犧牲層（106）會嵌入所述硅襯底（100）正面的所述第一電極層（104）中；

F.在所述犧牲層（106）上分別形成第二電極層（108）；

G.對所述硅襯底（100）正面的所述第二電極層（108）作圖形化；

H.從所述硅襯底（100）的正面透過圖形化的所述第二電極層（108）刻蝕所述犧牲層（106）至所述第一電極層（104）停止，形成接觸孔（109），并在所述接觸孔（109）底部和所述第二電極層（108）上分別形成金屬接觸（110）；

I.從所述硅襯底（100）的背面依次刻蝕所述第二電極層（108）、所述犧牲層（106）、所述第一電極層（104）以及所述刻蝕阻擋層（102），并繼續(xù)刻蝕所述硅襯底（100）直至所述硅襯底（100）正面的所述刻蝕阻擋層（102）才停止，在所述硅襯底（100）中形成一開口向下的深槽（112）；

J.在所述硅襯底（100）的正面上方涂覆光刻膠（113）作保護，留出后續(xù)需要被刻蝕的所述犧牲層（106）的區(qū)域；

K.從所述硅襯底（100）的正面透過圖形化的所述第二電極層（108）刻蝕所述犧牲層（106），并去除所述深槽（112）底部的所述刻蝕阻擋層（102），在去除所述光刻膠（113）并干燥后，形成所述MEMS傳感器。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS傳感器的加工方法，其特征在于，所述第一電極層（104）和所述第二電極層（108）均為低應(yīng)力原位摻雜的多晶硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MEMS傳感器的加工方法，其特征在于，所述第一電極層（104）和所述第二電極層（108）的應(yīng)力范圍均是從負的數(shù)百兆帕至正的數(shù)百兆帕。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MEMS傳感器的加工方法，其特征在于，所述第一電極層（104）、所述第二電極層（108）和/或所述犧牲層（106）的厚度為數(shù)千埃至數(shù)萬埃。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的MEMS傳感器的加工方法，其特征在于，所述犧牲層（106）的材料為氧化層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的MEMS傳感器的加工方法，其特征在于，所述犧牲層（106）的材料為USG或者PSG。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的MEMS傳感器的加工方法，其特征在于，在上述步驟I中，從所述硅襯底（100）的背面依次刻蝕所述第二電極層（108）、所述犧牲層（106）、所述第一電極層（104）以及所述刻蝕阻擋層（102）的動作，其是帶圖形的逐層刻蝕或者是逐層地全部刻蝕掉。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的MEMS傳感器的加工方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層（102）為二氧化硅。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的MEMS傳感器的加工方法，其特征在于，所述MEMS傳感器為MEMS麥克風。