[發明專利]用于高密度互連倒裝晶片的底部填充料

有效

• 申請號: 201410085647.9
• 申請日: 2010-09-14
• 公開（公告）號: CN103937168B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 帕維爾·丘巴洛;鈴木理;佐藤敏行
• 申請（專利權）人: 納美仕有限公司
• 主分類號: C08L63/02
• 分類號: C08L63/02;C08K13/06;C08K9/04;C08K7/00;C08K3/04;C08K3/36;C08K3/34;C08G59/30;C08G59/32;H01L21/56;H01L23/29
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 王旭

1.一種底部填充料材料，所述底部填充料材料包含：

樹脂，所述樹脂用至少第一反應性基團官能化；

納米填充材料，所述納米填充材料用至少第二反應性基團官能化，所述第二反應性基團與所述樹脂的所述第一反應性基團具有反應性。

2.根據權利要求1所述的底部填充料材料，其中至少用所述第一反應性基團官能化的所述樹脂包括用反應性縮水甘油基官能化的硅氧烷。

3.根據權利要求2所述的底部填充料材料，其中用所述反應性縮水甘油基官能化的所述硅氧烷包括用所述縮水甘油基官能化的多面體低聚硅倍半氧烷。

4.根據權利要求2所述的底部填充料，其中用所述反應性縮水甘油基官能化的所述硅氧烷包括三(縮水甘油氧基丙基二甲基硅烷氧基)-苯基硅烷。

5.根據權利要求1所述的底部填充料材料，其中所述填充材料包括碳納米管。

6.根據權利要求5所述的底部填充料材料，其中所述碳納米管是胺官能化的。

7.根據權利要求5所述的底部填充料材料，其中所述碳納米管是用氨基芘官能化的。

8.根據權利要求1所述的底部填充料材料，其中所述第一反應性基團包括環氧基。

9.根據權利要求5所述的底部填充料材料，其中所述碳納米管具有小于5微米的平均長度。

10.根據權利要求9所述的底部填充料材料，其中所述碳納米管是單壁碳納米管。

11.根據權利要求9所述的底部填充料材料，其中所述碳納米管是多壁碳納米管。

12.根據權利要求9所述的底部填充料材料，其中所述碳納米管是竹節型碳納米管。

13.根據權利要求6所述的底部填充料材料，其中所述碳納米管是具有小于5微米的平均長度并且用氨基芘官能化的單壁碳納米管。

14.根據權利要求1所述的底部填充料材料，所述底部填充料材料還包含二氧化硅和硅烷偶聯劑。

15.根據權利要求1所述的底部填充料材料，其中所述樹脂還包含雙酚F環氧樹脂。

16.根據權利要求1所述的底部填充料材料，其中所述樹脂包含氟硅氧烷消泡劑。

17.根據權利要求1所述的底部填充料材料，其中所述底部填充料具有在約90℃至約135℃的范圍內的玻璃化轉變溫度。

18.根據權利要求1所述的底部填充料材料，其中所述底部填充料具有大于0.3GPa的高于Tg時的楊氏模量。

19.根據權利要求1所述的底部填充料材料，其中所述填充材料包含官能化的有機粘土。

20.根據權利要求19所述的底部填充料材料，其中所述官能化的有機粘土為厚度尺寸小于20納米的小片形式。

21.根據權利要求19所述的底部填充料材料，其中所述無機填料官能化的有機粘土包括用季銨官能化的蒙脫石。

22.根據權利要求19所述的底部填充料材料，所述底部填充料材料還包含二氧化硅和硅烷偶聯劑。

23.根據權利要求22所述的底部填充料材料，其中所述樹脂包含多芳胺。

24.根據權利要求23所述的底部填充料材料，其中所述樹脂還包含雙酚F環氧樹脂。

25.根據權利要求24所述的底部填充料材料，其中所述樹脂還包含氟硅氧烷消泡劑。

26.根據權利要求1所述的底部填充料材料，所述底部填充料材料還包含多面體低聚硅倍半氧烷。

27.根據權利要求26所述的底部填充料材料，其中所述多面體低聚硅倍半氧烷包含至少一個環氧基。

28.根據權利要求27所述的底部填充料材料，其中所述多面體低聚硅倍半氧烷包括縮水甘油基多面體低聚硅倍半氧烷。

29.根據權利要求27所述的底部填充料材料，其中所述多面體低聚硅倍半氧烷包括三縮水甘油基環己基多面體低聚硅倍半氧烷。