[發明專利]噴出檢查裝置及基板處理裝置有效
| 申請號: | 201410085538.7 | 申請日: | 2014-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN104051297B | 公開(公告)日: | 2017-07-18 |
| 發明(設計)人: | 古川至;佐野洋 | 申請(專利權)人: | 斯克林集團公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司72003 | 代理人: | 金相允,向勇 |
| 地址: | 日本國京*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 噴出 檢查 裝置 處理 | ||
技術領域
本發明涉及一種檢查從多個噴出口噴出液體的動作的噴出檢查裝置及具有該噴出檢查裝置的基板處理裝置。
背景技術
以往以來,在半導體基板(以下,簡稱為“基板”)的制造工藝中,利用基板處理裝置對具有氧化膜等的絕緣膜的基板實施各種各樣的處理。例如,通過向基板的表面供給清洗液,來進行去除附著在基板的表面上的顆粒(Particle)等的清洗處理。
在日本特開平11-329936號公報(文獻1)中,公開了一種從配置于基板上方的一個處理液供給噴嘴向基板上噴出光致抗蝕(Photoresist)液的基板處理裝置。在該裝置中,配置有CCD(Charge-coupled Device:電荷耦合器件)攝像頭,該CCD攝像頭朝向處理液供給噴嘴與基板之間,拍攝從處理液供給噴嘴噴出的處理液的液柱。然后,將拍攝到的處理液的液柱寬度(即,從處理液供給噴嘴噴出的寬度)與規定的基準寬度進行比較,在液柱寬度小于基準寬度的情況下,檢測為噴出異常。
在日本特開2003-272986號公報(文獻2)中,公開了一種從顯影液噴出噴嘴的狹縫狀噴出口向保持成靜止狀態的基板上施加顯影液的基板處理裝置。在該裝置中,設置有向基板上照射光的照明部、檢測由基板上的處理液反射的光的光檢測部。利用光檢測部的CCD攝像頭獲取基板表面整體圖像,基于在基板上的沒有充滿顯影液的顯影液供給不良區域與其它區域之間的亮度值的差異,來檢測顯影液供給不良區域。
在日本特開2008-135679號公報(文獻3)中,公開了一種從涂敷液噴嘴向基板上供給涂敷液的液處理裝置。在該裝置中,在基板上方與作為待機位置的噴嘴槽(Nozzle bus)之間搬運涂敷液噴嘴,并拍攝搬運過程中的涂敷液噴嘴的前端部。然后,基于拍攝結果,檢測在涂敷液噴嘴的前端部是否產生滴液或滴下的現象。
在日本特開2012-9812號公報(文獻4)中,公開了一種從處理液噴嘴向基板上供給處理液的液處理裝置。在該裝置中,以直線狀排成1列的11個噴嘴由噴嘴頭部保持。另外,向從這些噴嘴的前端部到基板表面為止的區域照射線狀的激光,利用朝向該區域的攝像頭拍攝從各噴嘴噴出的抗蝕液的液柱。然后,通過對拍攝結果和基準信息相比較,來判斷是否從噴嘴噴出抗蝕液及噴出狀態是否產生變化,其中,基準信息為事先拍攝的在正常情況下從噴嘴噴出抗蝕液的狀態。
另一方面,在日本特開2012-209513號公報(文獻5)中,公開了一種從多個噴出口向基板噴出處理液的微小液滴的基板處理裝置。在該裝置中,設置有多列噴出口列,噴出口列是由多個噴出口排成一列而形成的。
然而,在文獻5那樣的裝置中,即使想判斷從多個噴出口中是否噴出處理液,也由于具有多個噴出口的多個噴出口列分別沿著與噴出口排列方向交差的方向配置,所以從各噴出口噴出的微小液滴會重疊,因此無法容易地判斷哪個微小液滴是對應哪個噴出口。
另外,作為噴出微小液滴異常的一種情況,有偏離于規定噴出方向而噴出的傾斜噴出。作為檢測這種傾斜噴出的方法,可以想到將微小液滴的間隔與正常值進行比較的方法。然而,就微小液滴的間隔而言,在靠近觀察視點的噴出口看起來顯得大,而在遠離觀察視點的噴出口看起來顯得小,因此,難以判斷是正常噴出還是傾斜噴出。另外,各微小液滴的大小也根據與觀察視點之間的距離產生變化。
發明內容
本發明提供一種檢查從多個噴出口噴出液體的動作的噴出檢查裝置,其目的在于高精度地判斷多個噴出口各自的噴出動作的好壞。本發明還提供一種基板處理裝置。
本發明的噴出檢查裝置具有:光射出部,其沿著事先規定的光存在面射出光,由此在多個飛濺體通過所述光存在面時,對多個所述飛濺體照射光,多個所述飛濺體為從多個噴出口噴出的液體;拍攝部,其拍攝通過所述光存在面的多個所述飛濺體,由此獲取檢查圖像,該檢查圖像包括多個所述飛濺體上出現的多個亮點;判斷框設定部,其在所述檢查圖像上,設定與多個所述噴出口對應的多個正常噴出判斷框;判斷部,其獲取各正常噴出判斷框內有無亮點的有無信息,基于所述有無信息,判斷與各所述正常噴出判斷框對應的噴出口的噴出動作的好壞。根據該噴出檢查裝置,能夠高精度地判斷多個噴出口的每一個的噴出動作的好壞。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





