[發(fā)明專利]基于拼接光柵莫爾條紋相位解調的納米光刻對準方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410085381.8 | 申請日: | 2014-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN103838093A | 公開(公告)日: | 2014-06-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 程依光;朱江平;胡松;趙立新;陳磊;劉俊伯 | 申請(專利權)人: | 中國科學院光電技術研究所 |
| 主分類號: | G03F9/00 | 分類號: | G03F9/00 |
| 代理公司: | 北京科迪生專利代理有限責任公司 11251 | 代理人: | 孟卜娟;盧紀 |
| 地址: | 610209 *** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 拼接 光柵 莫爾 條紋 相位 解調 納米 光刻 對準 方法 | ||
1.一種基于拼接光柵莫爾條紋相位解調的納米光刻對準方法,其特征在于包括:制作基于拼接光柵的回字形對準標記和莫爾條紋相位差快速提取算法,根據(jù)相位差計算基片和掩模的對準偏差。
2.如權利要求1所述的基于拼接光柵莫爾條紋相位解調的納米光刻對準方法,其特征在于:所述回字形對準標記,掩模與基片對準標記都由4個直角線光柵拼接而成,占空比1:2;整個標記中光柵周期設置為一三象限、二四相同,兩組象限的光柵周期接近,Pm1是掩模對準標記二四象限的周期,Pm2是掩模對準標記一三象限的周期,Ps1是基片對準標記一三象限的周期,Ps2是基片對準標記二四象限的周期;各個周期關系為:Pm1≈Pm2,Pm2=M*Ps2,
Pm1=M*Ps1,M是光刻投影物鏡的放大倍率。
3.如權利要求1所述的基于拼接光柵莫爾條紋相位解調的納米光刻對準方法,其特征在于:所述莫爾條紋相位差快速提取算法包括以下步驟:
步驟S1:提取兩組條紋A(L)、B(L),L為提取的條紋長度;
步驟S2:兩組一維正弦信號乘以漢寧窗口函數(shù)得到AW(L)、BW(L);
步驟S3:信號作一維快速傅里葉變換得到最后兩組信號AW(f),Bw(f),f是條紋的空間頻率,求AW(f)共軛得到AW*(f);
步驟S4:得到兩組條紋的相位差:
其中fm=(Pm1+Pm2)/2Pm1Pm2,Pm1是掩模對準標記二四象限的周期,Pm2是掩模對準標記一三象限的周期。
4.如權利要求1所述的基于拼接光柵莫爾條紋相位解調的納米光刻對準方法,其特征在于:根據(jù)相位差計算基片和掩模的對準偏差,包括如下步驟:
步驟S1:在兩處對準標記的x,y方向得到條紋相位差ΔΦ1x,ΔΦ1y,ΔΦ2x,ΔΦ2y;
步驟S2:根據(jù)條紋信息求基片A,B和掩模對應處A’,B’的對準偏差ΔxA,?ΔyA,?ΔxB,?ΔyB;
步驟S3:根據(jù)對準標記處的偏差求基片和掩模的中心偏差Δxw、Δyw和方位角差α。
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