[發明專利]固體攝像裝置及固體攝像裝置的制造方法在審
| 申請號: | 201410085321.6 | 申請日: | 2014-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN104347653A | 公開(公告)日: | 2015-02-11 |
| 發明(設計)人: | 井上郁子 | 申請(專利權)人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 龐乃媛;黃劍鋒 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固體 攝像 裝置 制造 方法 | ||
1.一種固體攝像裝置,其中,具備:
具備第一面和與所述第一面對置的第二面的半導體基板;
設置在所述半導體基板的所述第一面側的電路;
設置在所述半導體基板中、用于對來自所述第二面側的光進行光電變換的像素;以及
所述半導體基板的所述第二面側的元件。
2.如權利要求1所述的固體攝像裝置,其中,
所述元件具備電阻元件,該電阻元件具備所述第二面側的所述半導體基板中的擴散層,或者所述第二面的上方的導電層。
3.如權利要求2所述的固體攝像裝置,其中,
所述半導體基板包括含有所述像素的像素區域和與所述像素區域相鄰的電路區域,
所述電路及所述元件被設置在所述電路區域中。
4.如權利要求3所述的固體攝像裝置,其中,
所述元件與所述電路及所述第二面的上方的墊片中的至少一方連接。
5.如權利要求1所述的固體攝像裝置,其中,
所述元件具備電容元件,
該電容元件具備:
所述第二面側的所述半導體基板中的擴散層,或者所述第二面上的第一導電層;
所述擴散層或者所述第一導電層上的絕緣膜;以及
所述絕緣膜上的第二導電層。
6.如權利要求5所述的固體攝像裝置,其中,
所述半導體基板包括含有所述像素的像素區域和與所述像素區域相鄰的電路區域,
所述電路及所述元件被設置在所述電路區域中。
7.如權利要求6所述的固體攝像裝置,其中,
所述元件與所述電路及所述第二面的上方的墊片中的至少一方連接。
8.如權利要求1所述的固體攝像裝置,其中,
所述像素具備所述半導體基板中的所述第一面側的光電二極管,
所述光電二極管具備所述半導體基板中的雜質區域中的所述第一面側的擴散層,
所述固體攝像裝置還具備在所述第二面的上方與所述光電二極管對置的透鏡。
9.一種固體攝像裝置的制造方法,其中,具備如下步驟:
在基板上,形成具備第一面和與所述第一面對置的第二面的半導體層,
在所述半導體層的所述第一面側形成像素及電路,
所述像素對來自所述第二面側的光進行光電變換,
將所述基板除去,
在所述半導體層的所述第二面側形成元件。
10.如權利要求9所述的固體攝像裝置的制造方法,其中,
形成所述元件具備如下步驟:
在所述第二面側,在所述半導體層中形成擴散層,
在所述擴散層上的第一位置及第二位置分別形成導電層。
11.如權利要求10所述的固體攝像裝置的制造方法,其中,
形成所述像素及所述電路具備如下步驟:
在所述半導體層的像素區域及電路區域中的所述第一面側分別形成所述像素及所述電路,
形成所述元件具備如下步驟:
在所述電路區域中形成所述元件。
12.如權利要求9所述的固體攝像裝置的制造方法,其中,
形成所述元件具備如下步驟:
在所述第二面的上方形成導電層。
13.如權利要求11所述的固體攝像裝置的制造方法,其中,
形成所述像素及所述電路具備如下步驟:
在所述半導體層的像素區域及電路區域中的所述第一面側分別形成所述像素及所述電路,
形成所述元件具備如下步驟:
在所述電路區域中形成所述元件。
14.如權利要求9所述的固體攝像裝置的制造方法,其中,
形成所述元件具備如下步驟:
在所述第二面側,在所述半導體層中形成擴散層,
在所述擴散層上形成絕緣膜,
在所述絕緣膜上形成導電層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





