[發明專利]結合實體坐標的位失效偵測方法有效
| 申請號: | 201410084502.7 | 申請日: | 2014-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN104916559B | 公開(公告)日: | 2017-11-03 |
| 發明(設計)人: | 駱統;陳琪旻;楊令武;楊大弘;陳光釗 | 申請(專利權)人: | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司11021 | 代理人: | 任巖 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 結合 實體 標的 失效 偵測 方法 | ||
1.一種結合實體坐標的位失效偵測方法,包括:
取得一晶圓對位檢測數據,所述晶圓對位檢測數據包括一晶圓內每一層的多個缺陷的影像和所述缺陷于所述晶圓內的多個實體坐標;
進行一位失效偵測步驟,以得到所述晶圓內多個失效位的一數字坐標;
轉換所述數字坐標為線或多邊形的多個實體位置;以及
將所述實體位置重疊于所述晶圓內的所述實體坐標,以得到所述失效位與所述缺陷之間的關聯性。
2.根據權利要求1所述的結合實體坐標的位失效偵測方法,更包括:
根據各該失效位的所述實體位置對應所述晶圓內的所述實體坐標,得到所述缺陷的多個掃描式電子顯微影像;以及
依據所述掃描式電子顯微影像判定導致所述失效位的原因。
3.根據權利要求1所述的結合實體坐標的位失效偵測方法,其中所述實體位置重疊于所述晶圓內的所述實體坐標的步驟包括:根據所述晶圓對位檢測數據中不同的所述缺陷,將所述失效位進行分類。
4.一種結合實體坐標的位失效偵測方法,包括:
進行一位失效偵測步驟,以取得一晶圓內的所有失效位的一數字坐標;
將所述數字坐標轉換為一圖形數據系統坐標或一檢測結果坐標;
比對所述圖形數據系統坐標或所述檢測結果坐標的一數據與所述晶圓的一數據庫檔案,以輸出所述失效位的多個實體位置;以及
比對所述實體位置與所述晶圓的一檢測結果檔,以得到與所述失效位相應的多個缺陷。
5.根據權利要求4所述的結合實體坐標的位失效偵測方法,更包括根據所述缺陷對所述失效位進行分類。
6.根據權利要求4所述的結合實體坐標的位失效偵測方法,其中所述數字坐標轉換的是所述檢測結果坐標的話,則在比對所述數據與所述數據庫檔案的步驟中,將所述檢測結果坐標直接與檢測缺陷晶圓圖進行比對。
7.根據權利要求4所述的結合實體坐標的位失效偵測方法,其中所述數字坐標轉換的是所述圖形數據系統坐標的話,則在比對所述數據與所述數據庫檔案的步驟前更包括:將檢測缺陷晶圓圖坐標轉為一圖形數據系統文件的坐標。
8.根據權利要求1或4所述的結合實體坐標的位失效偵測方法,其中所述位失效偵測步驟所得的所述數字坐標包括多個位線的失效以及多個字線的失效。
9.根據權利要求8所述的結合實體坐標的位失效偵測方法,其中所述位線的失效或所述字線的失效包括開路(open)、短路(short)或通路(close)。
10.根據權利要求1或4所述的結合實體坐標的位失效偵測方法,其中所述缺陷的部位包括字線、位線、多晶硅層或接觸窗。
11.根據權利要求1或4所述的結合實體坐標的位失效偵測方法,更包括通過比較所述失效位的數量以及所述缺陷的總數,來得到導因于位失效的缺陷的機率。
12.根據權利要求1或4所述的結合實體坐標的位失效偵測方法,更包括通過所述晶圓內位于不同晶粒的檢測結果得到重復的系統缺陷。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





