[發明專利]用于發射成像設備的網格模具、檢測器和發射成像設備

有效

• 申請號: 201410084432.5
• 申請日: 2014-03-10
• 公開（公告）號: CN103885081A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 許劍鋒;石涵;黃秋
• 申請（專利權）人: 許劍鋒
• 主分類號: G01T1/29
• 分類號: G01T1/29;G01T1/202;A61B6/03
• 代理公司: 北京金思港知識產權代理有限公司 11349
• 代理人: 邵毓琴

技術領域

本發明涉及發射成像系統，具體地，涉及一種用于發射成像設備的檢測器的網格模具、具有該網格模具的檢測器以及具有該檢測器的發射成像設備。

背景技術

包括正電子發射成像設備的發射成像設備已經被用于醫療診斷。以正電子發射成像設備為例，其利用正電子同位素衰變產生出的正電子與人體內負電子發生泯滅效應的現象，通向人體內注射帶有正電子同位素標記的化合物，采用復合探測的方法，利用檢測器探測泯滅效應所產生的_γ光子，得到人體內同位素的分布信息，由計算機進行重建組合運算，從而得到人體內標記化合物分布的三維斷層圖像。

發射成像設備通常包括支撐框架和安裝在支撐框架上的多個檢測器。以正電子發射成像設備為例，檢測器主要包括三部分，如圖1所示，即最下層的由離散閃爍晶體組成的晶體矩陣110、玻璃光導層120和光電倍增管（PMT）矩陣130。玻璃光導層120內刻有不同深度的切槽121，切槽121把玻璃光導層120的下表面分割成的矩陣，且該矩陣和離散晶體組成的晶體矩陣110一一對應。切槽121內填入反光材料。

正電子湮滅產生的511電子伏特的高能光子（γ光子），在晶體矩陣110中的某一晶體條內部發生反應，被轉換為可見光子群。由于閃爍晶體除頂面外的五面都被反光片覆蓋，可見光子群只能從閃爍晶體的頂面射出，并進入玻璃光導層120。可見光子群從玻璃光導層120出來后，進入PMT矩陣130。通過PMT矩陣130中，各PMT單元采集到的可見光信號的大小，用重心算法（Anger?Logic），可以計算出高能光子在晶體矩陣110中的哪一個閃爍晶體內部發生的反應。這一過程稱為晶體解碼。

傳統正電子發射成像設備的檢測器設計中，最關鍵的一環是玻璃光導層120中切槽121的深度設置。不合理的切槽121深度設置，會導致較大的晶體解碼誤差甚至錯誤。反之，合理的切槽121深度設置，能夠極大的減少晶體解碼誤差。因此檢測器的加工尤其重要。但是，傳統正電子發射成像設備中的檢測器需要對玻璃光導層120刻入不同深度的切槽121。切槽121的寬度一般要求和晶體矩陣110中單個離散的閃爍晶體之間的空隙一致。另一方面，為了提高檢測器對511電子伏特的高能光子的靈敏度，離散的閃爍晶體之間越小越好。因此，切槽的寬度一般在100微米左右。在這么狹窄的切槽內填入反光材料，工藝要求較高。而對于切槽121的深度，如前所述，為了取得最佳的晶體解碼效果，對切槽121深度設置有一定的精度要求（例如200微米精度），傳統的切割工藝比較難達到這一要求。

因此，有必要提出一種用于發射成像設備的檢測器的網格模具、具有該網格模具的檢測器以及具有該檢測器的發射成像設備，以解決現有技術中存在的問題。

發明內容

根據本發明的一個方面，提供一種用于發射成像設備的檢測器的網格模具，包括：殼體；多個橫向壁，其位于所述殼體內且相互平行地沿著所述殼體的橫向延伸；以及多個縱向壁，其位于所述殼體內且相互平行地沿著所述殼體的縱向延伸，其中所述多個橫向壁和所述多個縱向壁將所述殼體內的下部空間分隔成以矩陣方式排列的多個網格槽，且所述多個橫向壁和所述多個縱向壁沿著從所述殼體的外周到所述殼體的中心具有逐漸減小的高度。

優選地，所述多個橫向壁分別由多個橫向薄片形成，且所述多個縱向壁分別由多個縱向薄片形成，其中所述多個橫向薄片和所述多個縱向薄片上分別設置有能夠使它們相互插接的切槽，所述多個橫向薄片和所述多個縱向薄片在所述切槽處插接以形成所述多個網格槽。

優選地，所述殼體的底壁和側壁的面向所述殼體內部的表面、以及所述多個橫向壁和所述多個縱向壁的側面設置有光反射層。

優選地，所述網格模具的殼體的頂部為開放式的，且在所述頂部處設置有連接部，所述連接部用于與所述檢測器的光傳感器層連接。

優選地，所述網格模具的所述殼體是密封的，所述殼體的頂壁由可見光子可穿透的材料制成。

優選地，所述殼體內的空間填充有光導液體。

優選地，所述網格模具的所述殼體上設置有設置在所述殼體的側壁上的灌注裝置和/或排氣裝置。

優選地，所述網格模具還包括排氣裝置，所述排氣裝置包括一個或多個傘狀的導向板，在每個所述導向板的頂部中心處形成有排氣孔。