[發明專利]晶體管的測試結構以及測試方法

有效

• 申請號: 201410084281.3
• 申請日: 2014-03-07
• 公開（公告）號: CN103811372A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 劉張李
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;駱蘇華

1.一種晶體管的測試結構，其特征在于，包括：

測試機臺，串聯于待測晶體管的源極與漏極之間，用于產生測試信號，并測量所述待測晶體管源極與漏極之間的關態電容；

偏置電壓源，與所述待測晶體管的柵極耦接，用于使所述待測晶體管保持關閉狀態；

以及：

第一電阻，串聯于所述待測晶體管的柵極與所述偏置電壓源之間，用于使測試機臺產生的測試信號流向源極。

2.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述測試機臺包括：

信號源，用于產生測試信號；

信號發送端，用于將所述信號源產生的測試信號發送至所述待測晶體管；

信號接收端，用于接收流經所述待測晶體管的測試信號。

3.如權利要求2所述的測試結構，其特征在于，所述待測晶體管的漏極與所述信號發送端連接，所述待測晶體管的源極與所述信號接收端連接。

4.如權利要求2所述的測試結構，其特征在于，所述信號源產生的測試信號源為交流信號。

5.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述待測晶體管的襯底單獨引出并接于地端；

所述測試結構還包括：第二電阻，所述第二電阻串聯于所述待測晶體管的襯底與地端之間。

6.如權利要求5所述的測試結構，其特征在于，所述第一電阻或者第二電阻的電阻值不小于50K歐姆。

7.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述偏置電壓源為直流偏置電壓源。

8.一種晶體管的測試方法，其特征在于，包括：

提供待測晶體管；

在所述待測晶體管的源極和漏極之間設置測試機臺；通過所述測試機臺測量所述源極與漏極之間的關態電容；

在所述待測晶體管的柵極上耦接偏置電壓源；

在所述柵極與偏置電壓源之間串聯第一電阻，用于使測試機臺產生的測試信號流向源極。

9.如權利要求8所述的測試方法，其特征在于，提供待測晶體管的步驟包括，將所述待測晶體管的襯底單獨引出并接于地端，并在所述襯底與地端之間串聯第二電阻。

10.如權利要求9所述的測試方法，其特征在于，所述第一電阻或者第二電阻的電阻值不小于50K歐姆。