[發明專利]半導體晶片的雜質熱擴散處理工藝

有效

• 申請號: 201410084043.2
• 申請日: 2014-03-07
• 公開（公告）號: CN104362214B
• 公開（公告）日: 2018-11-06
• 發明（設計）人: 谷本健二;木村裕;伊藤省吾;深津腱
• 申請（專利權）人: 日產化學工業株式會社;兵庫縣
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/228;H01L31/068
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 劉多益

1.半導體晶片的雜質熱擴散處理工藝，其特征在于，它是在半導體晶片的表面至10μm深度的表層進行雜質的熱擴散的工藝，

半導體晶片使用p型時，在表面涂布含磷5價元素的化合物，硅晶片使用n型時，在表面涂布含硼3價元素的化合物，

在半導體晶片的與使雜質擴散劑擴散的表面相反側的表面上以非真空工藝的涂布方式通過旋涂法或絲網印刷法涂布硅溶膠，抑制雜質向所述表層以外熱擴散，

所述硅溶膠中的二氧化硅固體成分的含量為5～50質量％，所述硅溶膠所含的膠體二氧化硅的平均粒徑為3～1000nm。

2.如權利要求1所述的半導體晶片的雜質熱擴散處理工藝，其特征在于，所述硅溶膠含有粘合劑成分。

3.如權利要求2所述的半導體晶片的雜質熱擴散處理工藝，其特征在于，所述粘合劑成分的含量相對于硅溶膠中的二氧化硅固體成分，為1～50質量％。

4.如權利要求1～3中任一項所述的半導體晶片的雜質熱擴散處理工藝，其特征在于，上述硅溶膠含有作為分散介質的水或有機溶劑。

5.如權利要求2所述的半導體晶片的雜質熱擴散處理工藝，其特征在于，上述粘合劑成分為選自丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、聚醚樹脂、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚烯烴樹脂、環氧樹脂、聚乙烯基酯樹脂、酚醛樹脂、醇酸樹脂及硅醇鹽水解物的至少1種。

6.如權利要求1所述的半導體晶片的雜質熱擴散處理工藝，其特征在于，將所涂布的硅溶膠在20～300℃加熱干燥，除去硅溶膠中的分散介質，使二氧化硅微粒層積在半導體晶片的表面。

7.如權利要求1所述的半導體晶片的雜質熱擴散處理工藝，其特征在于，再利用400～1300℃的高溫加熱，進行雜質的熱擴散。

8.如權利要求7所述的半導體晶片的雜質熱擴散處理工藝，其特征在于，具有通過氫氟酸的浸漬除去在所述高溫加熱時所形成的層積于半導體晶片的表面的二氧化硅微粒層的工序。

9.如權利要求1所述的半導體晶片的雜質熱擴散處理工藝，其特征在于，所述硅溶膠所含的膠體二氧化硅的粒子形狀是細長形狀、串珠狀、扁平狀、板狀。

10.半導體晶片，其特征在于，由權利要求1～9中任一項所述的半導體晶片的雜質熱擴散處理工藝獲得。

11.光電轉換裝置，其特征在于，具備權利要求10所述的半導體晶片。