[發明專利]內容可尋址存儲器及相似度匹配方法

有效

• 申請號: 201410083867.8
• 申請日: 2014-03-07
• 公開（公告）號: CN103886900B
• 公開（公告）日: 2016-10-26
• 發明（設計）人: 林谷
• 申請（專利權）人: 寧波力芯科信息科技有限公司
• 主分類號: G11C15/04
• 分類號: G11C15/04
• 代理公司: 深圳市順天達專利商標代理有限公司 44217
• 代理人: 陸軍

1.一種內容可尋址存儲器，包括由M行CAM單元構成的CAM陣列、匹配度求大單元、匹配線讀出電路和地址編碼器，其中M為大于或等于2的整數，其特征在于：所述CAM陣列中位于同一行的所有CAM單元的尾線連接到匹配度求大單元；所述匹配度求大單元用于將CAM陣列的M行CAM單元中尾線電流最小的一行輸出為第一電平信號、其他各行輸出為第二電平信號；所述匹配線讀出電路用于對所述匹配度求大單元輸出的第一電平信號和第二電平信號分別進行調整后輸出；所述地址編碼器用于將所述第一電平信號調整后的信號所對應的存儲地址作為相似度最高的數據字的存儲地址輸出。

2.根據權利要求1所述的內容可尋址存儲器，其特征在于：所述匹配度求大單元包括M個輸入子單元，且每一輸入子單元連接到CAM陣列的一路尾線并將相同大小的恒流源與接入的尾線的電流相減后輸出。

3.根據權利要求2所述的內容可尋址存儲器，其特征在于：所述輸入子單元包括第一等比例電流鏡、第二等比例電流鏡、第三等比例電流鏡、恒流源、第一開關管以及第二開關管，其中：所述第一等比例電流鏡、第二等比例電流鏡、第三等比例電流鏡依次連接，且第三等比例電流鏡的輸出端為該輸入子單元的輸出端；所述恒流源的輸出端經由第一開關管連接到第二等比例電流鏡的輸入端，第二開關管串接于第二等比例電流鏡、第三等比例電流鏡之間。

4.根據權利要求2或3所述的內容可尋址存儲器，其特征在于：所述匹配度求大單元包括M個求大子單元，該M個求大子單元分別連接到一個輸入子單元的輸出端，且接入電流最大的一個求大子單元輸出高電平、其他求大子單元輸出低電平。

5.根據權利要求4所述的內容可尋址存儲器，其特征在于：每一所述求大子單元包括M個N溝道MOS管，且M個求大子單元中的所有N溝道MOS管構成M×M的MOS管陣列；同一求大子單元的M個N溝道MOS管位于所述MOS管陣列中的同一列且該M個N溝道MOS管的柵極分別連接對應輸入子單元的輸出端；所述MOS管陣列中同一行的所有N溝道MOS管的漏極相連；所述MOS管陣列中每一行和每一列分別有且僅有一個N溝道MOS管的柵極與漏極連接。

6.根據權利要求5所述的內容可尋址存儲器，其特征在于：所述匹配度求大單元包括M個非線性轉換子單元，且每一非線性轉換子單元用于將一個對應的求大子單元輸出的高電平轉換為第一電平信號、低電平轉換為第二電平信號。

7.根據權利要求6所述的內容可尋址存儲器，其特征在于：每一所述非線性轉換子單元包括第一N溝道MOS管、第二N溝道MOS管、第一P溝道MOS管以及第二P溝道MOS管，其中：第一P溝道MOS管的柵極連接偏置電壓、漏極連接第一N溝道MOS管的漏極；所述第一N溝道MOS管的柵極連接到對應求大子單元的輸出端、漏極分別連接到第二N溝道MOS管和第二P溝道MOS管的柵極；所述第一P溝道MOS管和第二P溝道MOS管的源極相連并連接到高電平；所述第二P溝道MOS管的漏極連接第二N溝道MOS管的漏極并作為非線性轉換子單元的輸出端。

8.一種相似度匹配方法，其特征在于：包括以下步驟：

（a）將由M行CAM單元構成的CAM陣列的各行CAM單元的尾線電流最小的一行輸出為第一電平信號、其他各行輸出為第二電平信號，所述M為大于或等于2的整數；

（b）對所述第一電平信號和第二電平信號分別進行調整后輸出；

（c）將所述第一電平信號調整后的信號所對應的存儲地址作為相似度最高的數據字的存儲地址輸出。

9.根據權利要求8所述的相似度匹配方法，其特征在于：所述步驟（a）包括：

（a1）將相同大小的恒流源分別與所述CAM陣列的M行尾線電流相減獲得M個比較電流；

（a2）使所述M個比較電流中最大的一路轉換為高電平并將其他路比較電流轉換為低電平；

（a3）將所述高電平轉換為第一電平信號輸出、將所述低電平轉換為第二電平信號輸出。