[發明專利]閃存單元的操作方法有效
| 申請號： | 201410083739.3 | 申請日： | 2014-03-07 |
| 公開（公告）號： | CN103824593B | 公開（公告）日： | 2017-02-22 |
| 發明（設計）人： | 楊光軍 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/06 | 分類號： | G11C16/06;G11C16/14;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 閃存 單元 操作方法 | ||
1.一種閃存單元的操作方法，所述閃存單元包括中間電極、第一存儲位以及第二存儲位，所述第一存儲位包括第一位線電極和第一控制柵極，所述第二存儲位包括第二位線電極和第二控制柵極；其特征在于，所述閃存單元的操作方法包括：
對所述第一存儲位進行讀取操作時，施加第一讀取電壓至所述中間電極，施加第二讀取電壓至所述第一控制柵極，施加第三讀取電壓至所述第二控制柵極和所述第一位線電極，將所述第二位線電極與讀取電路連接；
對所述第二存儲位進行讀取操作時，施加所述第一讀取電壓至所述中間電極，施加所述第二讀取電壓至所述第二控制柵極，施加所述第三讀取電壓至所述第一控制柵極和所述第二位線電極，將所述第一位線電極與讀取電路連接。
2.如權利要求1所述的閃存單元的操作方法，其特征在于，所述第一讀取電壓為2.5V至3.5V，所述第二讀取電壓不大于0V，所述第三讀取電壓為閃存的電源電壓。
3.如權利要求2所述的閃存單元的操作方法，其特征在于，所述第二讀取電壓為-0.4V至-1V。
4.如權利要求3所述的閃存單元的操作方法，其特征在于，所述第一讀取電壓為3V，所述第二讀取電壓為-0.6V。
5.如權利要求1所述的閃存單元的操作方法，其特征在于，還包括：
對所述第一存儲位和所述第二存儲位進行擦除操作時，施加第一擦除電壓至所述中間電極，施加第二擦除電壓至所述第一控制柵極和所述第二控制柵極，施加第三擦除電壓至所述第一位線電極和所述第二位線電極；
所述第一擦除電壓為-2V至-5V，所述第二擦除電壓為-6V至-9V，所述第三擦除電壓為5V至8V。
6.如權利要求5所述的閃存單元的操作方法，其特征在于，所述第一擦除電壓為-4V，所述第二擦除電壓為-8V，所述第三擦除電壓為6V。
7.如權利要求1所述的閃存單元的操作方法，其特征在于，還包括：
對所述第一存儲位進行編程操作時，施加第一編程電壓至所述中間電極，施加第二編程電壓至所述第一控制柵極，施加第三編程電壓至所述第二控制柵極，施加第四編程電壓至所述第一位線電極，施加編程電流至所述第二位線電極；
對所述第二存儲位進行編程操作時，施加所述第一編程電壓至所述中間電極，施加所述第二編程電壓至所述第二控制柵極，施加所述第三編程電壓至所述第一控制柵極，施加所述第四編程電壓至所述第二位線電極，施加所述編程電流至所述第一位線電極；
所述第一編程電壓為1.3V至1.8V，所述第二編程電壓為6V至9V，所述第三編程電壓為4V至6V，所述第四編程電壓4V至6V，所述編程電流為0.5μA至4μA。
8.如權利要求7所述的閃存單元的操作方法，其特征在于，所述第一編程電壓為1.5V，所述第二編程電壓為8V，所述第三編程電壓為5V，所述第四編程電壓為5V。
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