[發(fā)明專利]有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410083733.6
• 申請日: 2014-03-07
• 公開（公告）號: CN104218055B
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姜昌珉
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;韓芳

1.一種有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置包括：

基底；

薄膜晶體管，設(shè)置在基底上，并且包括電極；

像素限定層，設(shè)置在薄膜晶體管上，并且為單層，單層包括具有第一厚度的第一區(qū)域和具有第二厚度的第二區(qū)域，第二厚度大于第一厚度，像素限定層具有位于第一區(qū)域中的通孔，通孔暴露薄膜晶體管的電極的一部分；

像素電極，設(shè)置在像素限定層的第一區(qū)域的至少一部分上，并通過第一區(qū)域中的通孔電連接到薄膜晶體管的電極；

中間層，位于像素電極上，中間層包括發(fā)射層；以及

對電極，位于中間層和像素限定層的第二區(qū)域上，其中，對電極接觸像素限定層的第二區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，像素限定層包括形成在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的第三區(qū)域，第三區(qū)域具有大于第一厚度且小于第二厚度的厚度，

像素電極設(shè)置在第三區(qū)域的至少一部分和第一區(qū)域上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，像素限定層包括位于第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的傾斜區(qū)域，

像素電極設(shè)置在傾斜區(qū)域的至少一部分和第一區(qū)域上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，像素電極填充通孔，并設(shè)置在第一區(qū)域的一部分上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，薄膜晶體管包括有源層、柵電極、源電極、漏電極、設(shè)置在有源層和柵電極之間的柵極絕緣層以及設(shè)置在柵電極與源電極和漏電極中的每個之間的層間絕緣層，

像素電極電連接到源電極和漏電極中的至少一個，

像素限定層直接設(shè)置在層間絕緣層以及源電極和漏電極上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，對電極設(shè)置在第一區(qū)域和第二區(qū)域上，并且直接接觸像素限定層的第二區(qū)域。

7.一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括下述步驟：

在基底上形成薄膜晶體管，其中，薄膜晶體管包括電極；

在薄膜晶體管上形成像素限定層，其中，像素限定層是單層，單層包括具有第一厚度的第一區(qū)域和具有第二厚度的第二區(qū)域，第二厚度大于第一厚度，像素限定層具有位于第一區(qū)域中的通孔，通孔暴露薄膜晶體管的電極的一部分；

在第一區(qū)域的至少一部分上形成像素電極，其中，像素電極通過第一區(qū)域中的通孔電連接到薄膜晶體管的電極；

在像素電極上形成中間層，中間層包括發(fā)射層；以及

在中間層和像素限定層的第二區(qū)域上形成對電極，其中，對電極接觸像素限定層的第二區(qū)域。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，形成像素限定層的步驟包括在薄膜晶體管上以如下方式形成像素限定層：像素限定層還包括設(shè)置在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間并具有第三厚度的第三區(qū)域，第三厚度大于第一厚度且小于第二厚度。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，形成像素電極的步驟包括在第三區(qū)域的至少一部分和第一區(qū)域上形成像素電極。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，形成像素限定層的步驟包括通過使用半色調(diào)掩模來形成像素限定層。