[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請號： | 201410083721.3 | 申請日： | 2014-03-07 |
| 公開（公告）號： | CN103887244B | 公開（公告）日： | 2017-05-31 |
| 發明（設計）人： | 謝振宇 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/84 | 分類號： | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司11002 | 代理人： | 李迪 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 陣列 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
進行激光退火處理之前在襯底基板上沉積等厚度的非晶硅薄膜層；
對所述非晶硅薄膜層進行構圖工藝使得所述非晶硅薄膜層的表面形成具有多個小孔的圖形；
對所述形成有多個小孔的非晶硅薄膜層進行激光退火處理，使得所述非晶硅薄膜層形成厚度不均勻的多晶硅薄膜層。
2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，
所述在襯底基板上沉積非晶硅薄膜層之前，還包括：
在襯底基板上沉積緩沖層。
3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，對所述非晶硅薄膜層進行構圖工藝使得所述非晶硅薄膜層的表面形成多個小孔的圖形，包括：
在所述非晶硅薄膜層的表面涂覆光刻膠層，對所述光刻膠層進行曝光顯影，使所述光刻膠層形成完全保留區域和完全去除區域，所述完全去除區域對應非晶硅薄膜層的表面待形成的多個小孔，
通過第一刻蝕工藝對所述光刻膠層的完全去除區域對應的非晶硅薄膜層進行刻蝕，以在所述非晶硅薄膜層的表面形成具有多個小孔的圖形。
4.如權利要求3所述的制備方法，其特征在于，
所述通過第一刻蝕工藝對所述光刻膠層的完全去除區域對應的非晶硅薄膜層進行刻蝕，以在所述非晶硅薄膜層的表面形成具有多個小孔的圖形，具體包括：
通過第一刻蝕工藝部分刻蝕掉或者全部刻蝕掉所述光刻膠層的完全去除區域對應的非晶硅薄膜層，以在所述非晶硅薄膜層的表面形成具有多個小孔的圖形。
5.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，
通過所述第一刻蝕工藝對所述光刻膠層的完全去除區域對應的非晶硅薄膜層進行刻蝕，以在所述非晶硅薄膜層的表面形成具有多個小孔的圖形，之后還包括：
通過第二刻蝕工藝部分刻蝕掉所述光刻膠層的完全去除區域對應的非晶硅薄膜層下面的緩沖層，以在所述緩沖層上形成與所述非晶硅薄膜層上的小孔對應的孔洞。
6.如權利要求1-5任一項所述的制備方法，其特征在于，在所述非晶硅薄膜層的表面，每平方毫米形成500-4000個小孔。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
