[發(fā)明專利]一種構(gòu)圖裝置和構(gòu)圖方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410083585.8 | 申請日: | 2014-03-07 |
| 公開(公告)號: | CN103887151B | 公開(公告)日: | 2017-02-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 馬群;張琨鵬;劉曉那;徐長健 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;H01L21/306;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11112 | 代理人: | 柴亮,張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 構(gòu)圖 裝置 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種構(gòu)圖裝置和構(gòu)圖方法。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體以及顯示裝置制造領(lǐng)域中,光刻膠的顯影通常采用噴淋顯影液的方式,即,向基板上噴淋顯影液,使已曝光(或未曝光)的光刻膠剝離或溶解。
然而,采用噴淋的方式容易在基板上造成顯影液殘留以及顆粒污染,同時,噴淋顯影液時的沖擊力可能會對光刻膠的圖形造成一定損傷。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明的目的在于提供一種構(gòu)圖裝置,能夠避免在構(gòu)圖過程中對圖形造成損傷。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供一種構(gòu)圖裝置,所述構(gòu)圖裝置包括抓取單元和處理液槽,所述處理液槽用于盛放處理液,所述抓取單元用于將基板放置入所述處理液槽內(nèi),并將處理后的所述基板從所述處理液槽中移出。
優(yōu)選地,所述處理液槽包括多個子處理液槽,所述抓取單元能夠?qū)⑺龌鍙囊粋€所述子處理液槽移動至另一個所述子處理液槽。
優(yōu)選地,所述處理液槽中設(shè)置有至少一個擋板,以將所述處理液槽分隔成多個所述子處理液槽。
優(yōu)選地,所述構(gòu)圖裝置還包括至少一個過濾器,所述過濾器用于將一個所述子處理液槽中處理液過濾后注入另一個所述子處理液槽。
優(yōu)選地,所述構(gòu)圖裝置還包括翻轉(zhuǎn)單元,所述翻轉(zhuǎn)單元用于翻轉(zhuǎn)所述基板以使所述基板的圖形面朝下,所述抓取單元包括吸附件,所述吸附件用于吸附所述基板。
優(yōu)選地,所述處理液為顯影液或刻蝕液。
相應(yīng)地,本發(fā)明還提供一種構(gòu)圖方法,用于利用上述本發(fā)明所提供的構(gòu)圖裝置對基板進行處理,所述構(gòu)圖方法包括:
S1、利用所述抓取單元將所述基板浸泡在所述處理液槽盛放的處理液中進行處理;
S2、利用所述抓取單元將處理后的所述基板移出所述處理液槽。
優(yōu)選地,所述處理液槽包括多個所述子處理液槽,所述抓取單元能夠?qū)⑺龌鍙囊粋€所述子處理液槽移動至另一個所述子處理液槽,所述S1包括:
利用所述抓取單元將所述基板依次浸泡在各所述子處理液槽盛放的處理液中進行處理。
優(yōu)選地,所述構(gòu)圖裝置包括所述過濾器,所述S2之后還包括:
S3、通過所述過濾器將一個所述子處理液槽中處理液過濾后注入另一個所述子處理液槽中。
優(yōu)選地,所述S1中將所述基板浸泡在所述處理液中時,利用所述抓取單元帶動所述基板沿水平方向按照預(yù)設(shè)速率往復(fù)移動。
優(yōu)選地,所述構(gòu)圖裝置包括翻轉(zhuǎn)單元,所述抓取單元包括吸附件,在進行S1之前,當所述基板的圖形面朝上時,所述S1之前包括:
利用所述翻轉(zhuǎn)單元翻轉(zhuǎn)所述基板以使所述基板的圖形面朝下,利用所述吸附件吸附所述基板的與圖形面相對的一面。
可以看出,本發(fā)明通過利用抓取單元將基板浸泡在處理液槽盛放的處理液中,能夠改善處理液與基板上對應(yīng)材料反應(yīng)的均勻性,如顯影液與光刻膠的反應(yīng)或者刻蝕液與對應(yīng)膜層的反應(yīng)等,避免了殘渣的殘留,并且避免了現(xiàn)有的噴淋方式可能對圖形造成的損傷。此外,本發(fā)明還能夠重復(fù)利用處理液,能夠節(jié)約成本。
附圖說明
附圖是用來提供對本發(fā)明的進一步理解,并且構(gòu)成說明書的一部分,與下面的具體實施方式一起用于解釋本發(fā)明,但并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中:
圖1為本發(fā)明實施例所提供的構(gòu)圖裝置示例圖;
圖2為本發(fā)明實施例所提供的構(gòu)圖裝置的另一示例圖;
圖3為本發(fā)明實施例所提供的構(gòu)圖裝置的再一示例圖;
圖4為本發(fā)明實施例所提供的構(gòu)圖方法流程示例圖。
附圖標記說明
10-抓取單元;11-基板;20-處理液槽;21a-1號子處理液槽;21b-2號子處理液槽;21c-3號子處理液槽;21d-4號子處理液槽;22-擋板;30-過濾器。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式進行詳細說明。應(yīng)當理解的是,此處所描述的具體實施方式僅用于說明和解釋本發(fā)明,并不用于限制本發(fā)明。
作為本發(fā)明的一個方面,提供一種構(gòu)圖裝置,如圖1至圖3所示,該構(gòu)圖裝置可以包括抓取單元10和處理液槽20,其中,處理液槽20用于盛放處理液,抓取單元10能夠用于將基板11放置在處理液槽20內(nèi),并且,抓取單元10能夠?qū)⒔?jīng)過處理液處理后的基板11從處理液槽20中移出。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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