[發(fā)明專利]一種液晶面板及其制作方法和顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410083489.3 | 申請(qǐng)日: | 2014-03-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103955082A | 公開(公告)日: | 2014-07-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 何全華;時(shí)凌云;張浩;薛子姣 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02F1/1333 | 分類號(hào): | G02F1/1333;G02F1/1335;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002 | 代理人: | 李迪 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 液晶面板 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種液晶面板及其制作方法和顯示裝置。?
背景技術(shù)
液晶顯示裝置(Liquid?Crystal?Display,LCD)因具有輕薄、功耗小、主動(dòng)顯示和數(shù)字化等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)成為顯示器行業(yè)的主力。在現(xiàn)有的液晶面板結(jié)構(gòu)中,如果沒(méi)有黑矩陣,液晶層發(fā)出的光會(huì)泄露到相鄰的像素區(qū)間,影響圖像對(duì)比度;同時(shí)外界光線直接或者通過(guò)反射與散射間接照射到TFT(Thin?Film?Transistor,薄膜晶體管)器件溝道區(qū)的a-Si(非晶硅)層上,會(huì)引起TFT器件開關(guān)特性劣化,又產(chǎn)生串?dāng)_,降低圖像質(zhì)量。?
針對(duì)相鄰像素單元之間漏光串?dāng)_等問(wèn)題,現(xiàn)有液晶面板一般是在彩膜基板的各子像素彩色膜層之間設(shè)置黑矩陣,黑矩陣對(duì)應(yīng)的區(qū)域設(shè)置有TFT、掃描線等結(jié)構(gòu),需要黑矩陣對(duì)其進(jìn)行遮擋,如圖1中現(xiàn)有液晶面板的結(jié)構(gòu)示意圖所示,包括陣列基板100和彩膜基板200。圖1中彩膜基板200包括襯底基板2、子像素彩色膜層16和黑矩陣17,子像素彩色膜層16和黑矩陣17同層設(shè)置,子像素彩色膜層16和黑矩陣17的下方還設(shè)置有公共電極層3和取向?qū)?。通常彩膜基板200上的黑矩陣17對(duì)應(yīng)陣列基板100中TFT結(jié)構(gòu)、數(shù)據(jù)線和掃描線所在區(qū)域設(shè)置,對(duì)其進(jìn)行覆蓋和遮擋,其中薄膜晶體管(TFT)包括漏電極12、柵電極13、半導(dǎo)體有源層14以及源電極及引線15,在陣列基板100包括第一襯底基板2A、存儲(chǔ)電容底電極11、柵絕緣層10、像素電極9以及保護(hù)層8。通過(guò)設(shè)置黑矩陣可以減少漏光,提高圖像對(duì)比度。?
由于黑矩陣的作用只是為了遮光,因此可以在原本黑矩陣的位置用同體積同形狀的太陽(yáng)能電池替換。通常為了達(dá)到滿意的顯示亮度,需要提高背光光源功率,但是浪費(fèi)了大量電能,由于液晶顯示器需要靠外部電源供電,限制了顯示器的使用范圍,因此更需要能夠主動(dòng)發(fā)電的顯示設(shè)備。?
雖然使用太陽(yáng)能電池代替黑矩陣,能夠?qū)崿F(xiàn)遮光的效果,還可以在一定程度上提高能源的利用率,但是該方法得到的像素開口率已接近極限,無(wú)法進(jìn)一步得到提高。?
發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問(wèn)題?
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是如何提高液晶面板的像素開口率,擴(kuò)大可視角度。?
(二)技術(shù)方案?
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種液晶面板,包括相對(duì)設(shè)置的陣列基板和彩膜基板,所述陣列基板和彩膜基板之間設(shè)置有液晶,所述陣列基板或彩膜基板的非像素區(qū)域?qū)?yīng)的位置設(shè)置有太陽(yáng)能電池,用于維持陣列基板和彩膜基板之間的盒厚。?
進(jìn)一步地,所述太陽(yáng)能電池為具有彈性的薄膜結(jié)構(gòu),設(shè)置在陣列基板的第一取向?qū)雍筒誓せ宓牡诙∠驅(qū)又g。?
進(jìn)一步地,所述第一取向?qū)优c太陽(yáng)能電池之間還依次設(shè)置有第一金屬屏蔽層和第一透明絕緣層,所述第二取向?qū)优c太陽(yáng)能電池之間還依次設(shè)置有第二透明絕緣層和第二金屬屏蔽層;?
其中所述第一透明絕緣層、所述第一金屬屏蔽層、所述第二透明絕緣層和所述第二金屬屏蔽層的位置與所述太陽(yáng)能電池的位置相對(duì)應(yīng)。?
進(jìn)一步地,所述太陽(yáng)能電池以陣列形式分布,且太陽(yáng)能電池的位置與陣列基板中掃描線和/或數(shù)據(jù)線的位置對(duì)應(yīng)。?
進(jìn)一步地,太陽(yáng)能電池的寬度為掃描線和/或數(shù)據(jù)線的寬度的3~5倍。?
進(jìn)一步地,所述彩膜基板包括襯底基板,所述襯底基板與所述第二取向?qū)又g還依次設(shè)置有多個(gè)子像素彩色膜層和公共電極層,各子像素彩色膜層均為同層設(shè)置,且各相鄰子像素彩色膜層的邊緣接觸,所述太陽(yáng)能電池臨近相鄰子像素彩膜層之間的邊緣區(qū)域設(shè)置。?
進(jìn)一步地,所述太陽(yáng)能電池外表面覆蓋有黑色的吸光層。?
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明還提供了一種顯示裝置,包括以上所述的液晶面板,還包括蓄電裝置,與液晶面板中的太陽(yáng)能電池連接,以存儲(chǔ)太陽(yáng)能電池產(chǎn)生的電能。?
進(jìn)一步地,所述太陽(yáng)能電池與第一透明絕緣層和第二透明絕緣層之間還設(shè)置有正負(fù)電極引線,所述正負(fù)電極引線分別與所述蓄電裝置的正負(fù)極連接。?
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明還提供了一種液晶面板的制作方法,包括:?
提供彩膜基板和陣列基板;?
在彩膜基板或陣列基板上非像素區(qū)域?qū)?yīng)的位置形成太陽(yáng)能電池,用于維持彩膜基板或陣列基板之間的盒厚;?
將所述陣列基板和彩膜基板對(duì)盒后在二者之間設(shè)置液晶。?
進(jìn)一步地,所述在彩膜基板或陣列基板上非像素區(qū)域?qū)?yīng)的位置形成太陽(yáng)能電池,具體包括:?
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過(guò)改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來(lái)修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來(lái)自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對(duì)強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的





