[發明專利]一種GaN異質結功率二極管

在審

• 申請號: 201410083056.8
• 申請日: 2014-03-07
• 公開（公告）號: CN103872145A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 周琦;汪玲;鮑旭;牟靖宇;施媛媛;尉中杰;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L29/06
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227
• 代理人: 李順德;王睿

1.一種GaN異質結功率二極管，包括襯底基片（1）、設置在襯底基片（1）上端面的GaN層（2）、設置在GaN層（2）上端面的AlMN層（3），所述GaN層（2）和AlMN層（3）構成異質結，所述AlMN層（3）上端面的兩側分別設置有第一肖特基金屬（5）和第二肖特基金屬（9），所述第一肖特基金屬（5）和第二肖特基金屬（9）之間設置有鈍化層（7），所述第一肖特基金屬（5）與AlMN層（3）之間設置有第一歐姆接觸層（4），其特征在于，所述AlMN層（3）與第二肖特基金屬（9）的接觸面設置有凹槽（8），所述凹槽（8）中靠近第一肖特基金屬（5）的一側設置有電介質（6），另一側設置第二歐姆接觸層（10）。

2.根據權利要求1所述的一種GaN異質結功率二極管，其特征在于，所述AlMN層（3）中M為Ga、In和Ga與In的混合物中的一種。

3.根據權利要求2所述的一種GaN異質結功率二極管，其特征在于，所述電介質（6）為SiO₂、Si₃N₄、AlN、Al₂O₃、MgO和HfO₂中的一種。

4.根據權利要求1～3任意一項所述的一種GaN異質結功率二極管，其特征在于，所述凹槽（8）的深度為20nm。