[發(fā)明專利]晶圓缺陷檢測方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410083015.9
• 申請日: 2014-03-07
• 公開（公告）號: CN104900553B
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 汪紅英;孫強(qiáng);陳思安;陳蘿茜
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237
• 代理人: 屈蘅,李時云

1.一種晶圓缺陷檢測方法，包括：

提供一標(biāo)準(zhǔn)晶圓，根據(jù)所述標(biāo)準(zhǔn)晶圓上的多個標(biāo)準(zhǔn)芯片建立一虛擬層間標(biāo)準(zhǔn)芯片；其中，建立所述虛擬層間標(biāo)準(zhǔn)芯片的步驟包括：從所述標(biāo)準(zhǔn)晶圓上抽樣產(chǎn)生多個標(biāo)準(zhǔn)芯片，每一所述標(biāo)準(zhǔn)芯片的相同位置均具有一標(biāo)準(zhǔn)像素點；根據(jù)多個所述標(biāo)準(zhǔn)像素點的灰度值，得到一虛擬層間標(biāo)準(zhǔn)值；以及，所述虛擬層間標(biāo)準(zhǔn)芯片包括所述虛擬層間標(biāo)準(zhǔn)值；

獲取一待測晶圓的待測芯片，所述待測芯片與標(biāo)準(zhǔn)芯片的大小相等；

將所述待測芯片與虛擬層間標(biāo)準(zhǔn)芯片進(jìn)行比較，根據(jù)比較結(jié)果判斷所述待測晶圓是否正常；其中，所述待測芯片與所述虛擬層間標(biāo)準(zhǔn)芯片的比較并判斷的步驟包括：所述待測芯片上具有與所述標(biāo)準(zhǔn)像素點相對應(yīng)的待測像素點；檢測所述待測像素點的灰度值，將所述待測像素點的灰度值與所述虛擬層間標(biāo)準(zhǔn)芯片進(jìn)行比較，得到一層間灰度差值；以及，將所述層間灰度差值與一層間灰度范圍進(jìn)行比較，如果所述層間灰度差值在所述層間灰度范圍內(nèi)，則所述待測晶圓符合所述標(biāo)準(zhǔn)晶圓的標(biāo)準(zhǔn)；如果所述層間灰度差值超出所述層間灰度范圍，則所述待測晶圓不符合所述標(biāo)準(zhǔn)晶圓的標(biāo)準(zhǔn)。

2.如權(quán)利要求1所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，所述標(biāo)準(zhǔn)晶圓具有四個象限，每一所述象限內(nèi)具有至少一個所述標(biāo)準(zhǔn)芯片。

3.如權(quán)利要求1所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，所述標(biāo)準(zhǔn)晶圓具有多個曝光區(qū)，在所述曝光區(qū)的不同位置上產(chǎn)生至少兩個所述標(biāo)準(zhǔn)芯片。

4.如權(quán)利要求1所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，所述標(biāo)準(zhǔn)晶圓具有多個環(huán)形區(qū)，每一所述環(huán)形區(qū)內(nèi)具有至少一個所述標(biāo)準(zhǔn)芯片。

5.如權(quán)利要求1所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，所述標(biāo)準(zhǔn)晶圓上抽樣產(chǎn)生至少三個所述標(biāo)準(zhǔn)芯片，去掉最大的所述標(biāo)準(zhǔn)像素點的灰度值和最少的所述標(biāo)準(zhǔn)像素點的灰度值，剩余的所述標(biāo)準(zhǔn)像素點的灰度值取平均值，得到所述虛擬層間標(biāo)準(zhǔn)值。

6.如權(quán)利要求1所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，所述層間灰度范圍的取值范圍為0～x，其中，10≤x≤100。

7.如權(quán)利要求1至6中任意一項所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，所述晶圓缺陷檢測方法還包括：

從所述待測晶圓上抽樣產(chǎn)生多個待測晶圓芯片，每一所述待測晶圓芯片的相同位置均具有一晶圓像素點，所述待測芯片與待測晶圓芯片的大小相等；

根據(jù)多個所述晶圓像素點的灰度值，得到一虛擬晶圓標(biāo)準(zhǔn)值；

將所述待測芯片與虛擬晶圓標(biāo)準(zhǔn)值進(jìn)行比較，根據(jù)比較結(jié)果判斷所述待測晶圓是否正常。

8.如權(quán)利要求7所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，所述待測晶圓具有四個象限，每一所述象限內(nèi)具有至少一個所述待測晶圓芯片。

9.如權(quán)利要求7所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，所述待測晶圓具有多個曝光區(qū)，在所述曝光區(qū)的不同位置上產(chǎn)生至少兩個所述待測晶圓芯片。

10.如權(quán)利要求7所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，所述待測晶圓具有多個環(huán)形區(qū)，每一所述環(huán)形區(qū)內(nèi)具有至少一個所述待測晶圓芯片。

11.如權(quán)利要求7所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，所述待測晶圓上抽樣產(chǎn)生至少三個待測標(biāo)準(zhǔn)芯片，去掉最大的所述待測像素點的灰度值和最小的所述待測像素點的灰度值，剩余的所述待測像素點的灰度值取平均值，得到所述待測層間標(biāo)準(zhǔn)值。

12.如權(quán)利要求7所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，將所述待測芯片與虛擬晶圓標(biāo)準(zhǔn)值進(jìn)行比較，根據(jù)比較結(jié)果判斷所述待測晶圓是否正常的步驟包括：

所述待測芯片上具有與所述晶圓像素點相對應(yīng)的待測像素點；

檢測所述待測像素點的灰度值，將所述待測像素點的灰度值與所述虛擬晶圓標(biāo)準(zhǔn)芯片進(jìn)行比較，得到一晶圓灰度差值；

將所述晶圓灰度差值與一晶圓灰度范圍進(jìn)行比較，如果所述晶圓灰度差值在所述晶圓灰度范圍內(nèi)，則所述待測晶圓符合所述待測晶圓缺陷的標(biāo)準(zhǔn)；如果所述晶圓灰度差值超出所述晶圓灰度范圍，則所述待測晶圓不符合所述待測晶圓缺陷的標(biāo)準(zhǔn)。

13.如權(quán)利要求12所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，所述晶圓灰度范圍的取值范圍為0～y，其中，10≤y≤100。