[發明專利]一種溝槽內薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 201410082979.1
• 申請日: 2014-03-07
• 公開（公告）號: CN103928299A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發明（設計）人: 陳敏;王贊;趙大國
• 申請（專利權）人: 中航（重慶）微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/683
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 吳俊

1.一種溝槽內薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一襯底及一載體襯底，刻蝕所述襯底形成溝槽；

在所述載體襯底中形成通孔，所述通孔貫穿于所述載體襯底的上下表面；

將所述載體襯底固定在所述襯底的上表面，且載體襯底中的通孔對準所述襯底的溝槽；

制備一薄膜層將所述載體襯底的上表面和所述溝槽及孔洞內壁表面予以覆蓋；

剝離所述載體襯底。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，借助光刻工藝在所述襯底中形成溝槽，借助激光、噴砂或光刻工藝在所述載體襯底中形成通孔。

3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，利用雙面曝光機對準，并用耐高溫膠帶將所述載體襯底固定在所述襯底的上表面，以使得所述載體襯底中的通孔對準所述襯底的溝槽。

4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述襯底中的溝槽開口寬度和深度均大于100um。

5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述載體襯底為硅基板、玻璃晶片。

6.一種溝槽內薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一半導體結構，其包括一襯底及一載體襯底，所述載體襯底固定在所述襯底的上表面；

刻蝕所述半導體結構至所述襯底中停止，于所述半導體結構中形成溝槽；

制備一薄膜層將所述載體襯底的上表面和所述溝槽及孔洞內壁表面予以覆蓋；

剝離所述載體襯底。

7.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于，借助光刻工藝于所述半導體結構中形成溝槽。

8.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于，利用雙面曝光機對準，并用高溫膠帶將所述載體襯底固定在所述襯底的上表面，以使得所述載體襯底中的通孔對準所述襯底的溝槽。

9.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述襯底的溝槽開口寬度和深度均大于100um。

10.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述載體襯底為硅基板、玻璃晶片。