[發(fā)明專利]薄膜太陽能電池及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410082857.2
• 申請(qǐng)日: 2014-03-07
• 公開（公告）號(hào): CN104051569B
• 公開（公告）日: 2017-09-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃乾燿;邱永升;李文欽
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L31/0445;H01L31/0749
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種用于制造器件的吸收層的方法，所述方法包括以下步驟：

(a)提供包括位于襯底上的前體膜和金屬背電極層的對(duì)象；

(b)在第一溫度“T₁”下對(duì)所述對(duì)象實(shí)施持續(xù)第一時(shí)間段“Δt₁”的第一工藝，0分鐘＜Δt₁≤300分鐘；

(c)在第二溫度“T₂”下對(duì)所述對(duì)象實(shí)施持續(xù)第二時(shí)間段“Δt₂”的第二工藝，其中，所述第二工藝包括將所述對(duì)象保持在惰性氣體環(huán)境中，并且其中，T₁≤T₂，0分鐘＜Δt₂≤300分鐘；以及

(d)在第三溫度“T₃”下對(duì)所述對(duì)象實(shí)施持續(xù)第三時(shí)間段“Δt₃”的第三工藝，0分鐘＜Δt₃≤300分鐘。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述器件是薄膜太陽能電池。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述前體膜是金屬前體。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述金屬前體包括選自由銅、鎵、銦、硒、硫和它們的合金組成的組中的材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述前體膜是CIS基半導(dǎo)體。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述CIS基半導(dǎo)體包括五元Cu-III-VI₂族黃銅礦半導(dǎo)體。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述CIS基半導(dǎo)體包括選自由CuInSe₂、CuGaSe₂、Cu(InGa)Se₂、CuInS₂、CuGaS₂、Cu(InGa)S₂、CuIn(Se,S)₂、CuGa(Se,S)₂、Cu(InGa)(Se,S)₂和它們的組合組成的組中的材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一工藝包括將所述對(duì)象保持在包含硒源的氣體環(huán)境中，并且其中，200℃≤T₁≤800℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述硒源是硒化氫。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述步驟(c)中，200℃≤T₂≤800℃。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述惰性氣體是氮?dú)饣驓鍤狻?/p>

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第三工藝包括將所述對(duì)象保持在包含硫源的氣體環(huán)境中，并且其中，200℃≤T₃≤600℃，并且其中，T₃≤T₂。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述硫源是硫化氫。

14.一種用于制造器件的吸收層的方法，所述方法包括以下步驟：

(a)提供包括前體的對(duì)象；

(b)在第一溫度“T₁”下，在惰性氣體環(huán)境中將所述對(duì)象保持第一時(shí)間段“Δt₁”，其中，200℃≤T₁≤800℃且0分鐘＜Δt₁≤300分鐘；以及

(c)在第二溫度“T₂”下，在包含硫源的氣體環(huán)境中將所述對(duì)象保持第二時(shí)間段“Δt₂”，其中，200℃≤T₂≤600℃且0分鐘＜Δt₂≤300分鐘，并且其中，T₂≤T₁。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述器件是薄膜太陽能電池，并且其中，所述前體是CIS基半導(dǎo)體或包括硒和/或硫的金屬前體。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述器件是薄膜太陽能電池。