[發明專利]具有磁解耦的籽晶層的讀取器

在審

• 申請號: 201410082831.8
• 申請日: 2014-03-07
• 公開（公告）號: CN104036791A
• 公開（公告）日: 2014-09-10
• 發明（設計）人: V·B·薩波日尼科夫;T·G·泊克希爾;M·S·U·帕特瓦瑞
• 申請（專利權）人: 希捷科技有限公司
• 主分類號: G11B5/667
• 分類號: G11B5/667;G11B5/11
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 何焜

1.一種裝置，包括：

底部屏蔽層；以及

傳感器疊層，

其中所述底部屏蔽層通過第一軟磁層與所述傳感器疊層隔開，所述第一軟磁層從所述底部屏蔽層磁解耦。

2.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一軟磁層利用非磁性材料的層從所述底部屏蔽層磁解耦。

3.如權利要求1所述的裝置，進一步包括頂部屏蔽層，其中所述頂部屏蔽層通過第二軟磁層與傳感器疊層隔開，所述第二軟磁層從頂部屏蔽層磁解耦。

4.如權利要求3所述的裝置，其特征在于，所述第二軟磁層利用非磁性材料的層從所述頂部屏蔽層磁解耦。

5.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述傳感器疊層位于磁盤驅動器的讀取頭上。

6.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一軟磁層由NiFe、NiFeCu和NiCoFe中的至少一種制成。

7.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述軟磁層和底部屏蔽層之間的磁性能量交換基本上為零。

8.一種裝置，包括：

底部屏蔽層；

傳感器疊層；以及

底部籽晶層，所述底部籽晶層將所述底部屏蔽層與所述傳感器疊層隔開，其中所述底部籽晶層包括：

底部耦合的籽晶部分，所述底部耦合的籽晶部分與所述底部屏蔽層耦合；以及

底部去耦的籽晶部分，所述底部去耦的籽晶部分與所述底部屏蔽層去耦，其中所述底部去耦的籽晶部分覆蓋包圍所述傳感器疊層的底部窗口。

9.如權利要求8所述的裝置，其特征在于，所述底部窗口在垂直于所述傳感器疊層的方向中在傳感器以外的尺寸至少為所述底部屏蔽層和所述頂部屏蔽層之間的間距的尺寸的兩倍。

10.如權利要求9所述的裝置，其特征在于，所述底部去耦的籽晶部分利用非磁性材料的層從所述底部屏蔽層去耦。

11.如權利要求8所述的裝置，其特征在于，進一步包括位于與所述底部屏蔽層相對的傳感器疊層的一側上的頂部屏蔽層，所述頂部屏蔽層通過頂部籽晶層與所述傳感器疊層隔開。

12.如權利要求11所述的裝置，其特征在于，所述頂部籽晶層包括：

頂部耦合的籽晶部分，所述頂部耦合的籽晶部分與所述頂部屏蔽層耦合；以及

頂部去耦的籽晶部分，所述頂部去耦的籽晶部分與所述頂部屏蔽層去耦，其中所述頂部去耦的籽晶部分覆蓋包圍所述傳感器疊層的頂部窗口。

13.如權利要求12所述的裝置，其特征在于，所述頂部去耦的籽晶部分利用非磁性材料的層從所述頂部屏蔽層去耦。

14.如權利要求12所述的裝置，其特征在于，所述頂部窗口在垂直于所述傳感器疊層的方向中在傳感器以外的尺寸至少為所述底部屏蔽層和所述頂部屏蔽層之間的間距的尺寸的兩倍。

15.如權利要求14所述的裝置，其特征在于，所述底部耦合的籽晶部分和所述頂部耦合的籽晶部分由NiFe、NiFeCu和NiCoFe中的至少一個制成。

16.一種讀取器傳感器，包括：

傳感器疊層；

底部籽晶層，所述底部籽晶層將所述傳感器疊層與底部屏蔽層隔開，其中所述底部籽晶層至少部分地與所述底部屏蔽層去耦。

17.如權利要求16所述的讀取器傳感器，其特征在于，進一步包括將所述傳感器疊層與頂部屏蔽層隔開的頂部籽晶層，其中所述頂部籽晶層至少部分地與所述頂部屏蔽層去耦。

18.如權利要求16所述的讀取器傳感器，其特征在于，與所述底部屏蔽層去耦的所述底部籽晶層在垂直于所述傳感器疊層的方向中的部分的尺寸至少為所述底部屏蔽層和所述頂部屏蔽層之間的間距的尺寸的兩倍。

19.如權利要求18所述的讀取器傳感器，其特征在于，與所述頂部屏蔽層去耦的所述頂部籽晶層在垂直于所述傳感器疊層的方向中的部分的尺寸至少為所述底部屏蔽層和所述頂部屏蔽層之間的間距的尺寸的兩倍。

20.如權利要求13所述的讀取器傳感器，其特征在于，所述傳感器疊層位于磁盤驅動器的讀取頭上。