[發明專利]激光蝕刻銀漿的制備方法

有效

• 申請號: 201410082735.3
• 申請日: 2014-03-07
• 公開（公告）號: CN103824611B
• 公開（公告）日: 2017-04-19
• 發明（設計）人: 田耕;劉洪
• 申請（專利權）人: 廣州北峻工業材料有限公司
• 主分類號: H01B1/22
• 分類號: H01B1/22;H01B1/24;H01B13/00;G06F3/044
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技術領域

本發明涉及一種激光蝕刻銀漿的制備方法。

背景技術

電容式觸摸屏一般由蓋板玻璃、上線導電感應膜層和下線導電感應膜層等構成。其中蓋板玻璃的主要作用為保護下面的電容感應膜層，同時在蓋板玻璃背面邊緣印刷黑色油墨。

玻璃感應膜層基底透光率高，觸感較好，采用玻璃感應膜層是觸摸屏廠商整體發展趨勢。但由于單個玻璃基版厚度比較大，所以兩層感應膜層再加上蓋板玻璃厚度疊加起來，不利于觸摸屏向輕、薄方向發展。現在觸摸屏廠商采用將蓋板玻璃和上感應導電膜層集成在一起，省掉一塊感應膜層玻璃，節省了一個貼合制程工序和OCA膠等耗材成本，提高工藝的整體良率。雖然采用了新的制程后，使得制成工序減少和成本降低，但是增加了做作工藝的難度，其中具體體現在：如何在油墨上制作不可視區域的線路成為本制程關鍵因素。

激光刻蝕玻璃上油墨基底導電膜層工藝是利用脈沖激光通過光學聚焦系統將激光束聚焦為10微米到90微米的光斑，聚焦后的光斑，達到材料的去除能量閾值，通過高速掃描振鏡系統精密快速掃描，從而實現觸摸屏上導電膜層的線路制作目的，這樣制作的不可視區域更窄，實用性更強。但是對于用于制作導電線路的銀漿要求越來越高，銀粉的粒徑越來越小。現有的激光蝕刻銀漿基本上采用納米或者1-2微米的銀粉，隨著粒徑的降低，可制作的線路越來越窄，但是銀粉的分散則存在問題。

發明內容

本發明采用的技術方案如下：

一種激光蝕刻銀漿的制備方法，所述銀漿包括銀粉，高分子樹脂，溶劑，所述激光蝕刻銀漿還包括銀粉重量0.001-0.1％的納米導電碳粒子。

一種激光蝕刻銀漿的制備方法，所述銀漿包括銀粉60-90重量份，高分子樹脂10-30重量份，溶劑10-35重量份。

所述納米導電碳粒子表面經過氧化改性、表面活性劑改性、聚合物改性。

所述銀粉選自納米銀粉和微細銀粉中的一種或幾種。

優選地，所述銀粉為納米銀粉和微細銀粉的混合物，納米銀粉和微細銀粉的質量比為1:5-1。

所述高分子樹脂選自丙烯酸類樹脂和聚酯類樹脂中的一種或幾種。所述高分子樹脂為丙烯酸類樹脂和聚酯類樹脂的混合物，丙烯酸類樹脂和聚酯類樹脂的質量比為1:1-10。

所述溶劑選自環已烷、醋酸乙酯、丁酮、四氫呋喃、正庚烷、甲醇、異丙醇、乙醇、醋酸丁酯中的一種或多種。

所述激光蝕刻銀漿還包括添加劑，所述添加劑為分散劑、消泡劑、流平劑。

所述的激光蝕刻銀漿的制備方法，包括以下步驟：

S10.銀粉處理：將銀粉重量0.001-0.1％的納米導電碳粒子在部分溶劑中分散均勻后，加入60-90重量份的銀粉，加熱至10％-60％的溶劑揮發；

S20.高分子樹脂處理：加入10-30重量份的高分子樹脂和剩余溶劑，加熱充分溶解，過濾雜質或不溶物；

S30.銀漿制備：將處理后的銀粉和高分子樹脂，以及添加劑在三輥機中研磨至細度1-8微米，得到激光蝕刻銀漿；

所述S10和S20中溶劑的總重量為10-35重量份；

所述的銀粉為納米銀粉和微細銀粉的混合物，納米銀粉和微細銀粉的質量比為1:5-1；

所述的微細銀粉是指銀粉粒徑在1～3微米的銀粉；

所述的納米導電碳粒子為納米石墨。

本發明提供的激光蝕刻銀漿的制備方法，通過添加少量的導電碳粒子，增強了體系的分散性。

具體實施方式

本發明提供了一種激光蝕刻銀漿的制備方法，所述銀漿包括銀粉，高分子樹脂，溶劑，所述激光蝕刻銀漿還包括銀粉重量0.001-0.1％的納米導電碳粒子。

本發明的激光蝕刻銀漿，包括銀粉60-90重量份，高分子樹脂10-30重量份，溶劑10-35重量份。

納米導電碳粒子表面經過氧化改性，納米導電碳粒子在強氧化性酸，如硝酸中，能夠形成極性基團，有利于納米導電碳粒子在極性體系中的相容性，即有利于與本發明的高分子樹脂相容，而納米導電碳粒子吸附在銀粉之上，有利于改善銀粉在高分子樹脂中的相容性，進一步降低體積電阻率。此外，作為另一種優選的技術方案，本發明的納米導電碳粒子也可以通過表面活性劑改性、聚合物改性，當然，通過表面氧化改性效果最好。

銀粉選自納米銀粉和微細銀粉中的一種或幾種。優選地，所述銀粉為納米銀粉和銀粉微細的混合物，納米銀粉和微細銀粉的質量比為1:5-1。本發明中，微細銀粉是指銀粉粒徑在1-3微米的銀粉。所述納米銀粉、微細銀粉可直接采用商購產品。