[發明專利]基于光子晶體濾波和量子點光譜轉換的日盲紫外成像裝置

有效

• 申請號: 201410081387.8
• 申請日: 2014-03-07
• 公開（公告）號: CN103868593A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 楊毅彪;王冰潔;鄒澤華;陳智輝;張楊;李琳;李祥霞
• 申請（專利權）人: 太原理工大學
• 主分類號: G01J3/28
• 分類號: G01J3/28
• 代理公司: 太原市科瑞達專利代理有限公司 14101
• 代理人: 李富元

1.基于光子晶體濾波和量子點光譜轉換的日盲紫外成像裝置，其特征在于：包括紫外成像鏡頭、量子點光譜轉換器、緊貼光譜轉換器放置的CMOS、圖像采集器、數字信號處理器和顯示器，所述量子點光譜轉換器包括順序排列的一維光子晶體前濾波器、整齊排列且尺寸均勻的單層量子點層、一維光子晶體后濾波器。

2.根據權利要求1所述的基于光子晶體濾波和量子點光譜轉換的日盲紫外成像裝置，其特征在于：透射入射光中的日盲段紫外光，同時反射波長為280-700nm波長范圍光。

3.根據權利要求2所述的基于光子晶體濾波和量子點光譜轉換的日盲紫外成像裝置，其特征在于：所述一維光子晶體前濾波器采用真空鍍膜裝置在紫外熔融石英基底上進行制備，其結構為S（L₁/H₁）₈（L₂/H₂）₆（L₃/H₃）_8?，所選材料L為ZrO_2?、H為CaF₂、S為紫外熔融石英，折射率n_L=2.603，n_H=1.464，n_S=1.450，厚度分別為d_L1=0.5d₁，d_H1=0.5d₁，d_L2=0.5d₂，d_H2=0.5d₂，d_L3=0.5d₃，d_H3=0.5d₃，其中d₁=155nm，d₂=85nm，d₃=113nm，d_s=0.5mm。

4.根據權利要求1所述的基于光子晶體濾波和量子點光譜轉換的日盲紫外成像裝置，其特征在于：所述單層量子點層吸收所述一維光子晶體前濾波器透射的紫外光后激發相應波長可見光。

5.根據權利要求1所述的基于光子晶體濾波和量子點光譜轉換的日盲紫外成像裝置，其特征在于：所述一維光子晶體后濾波器透射所述單層量子點層激發的可見光，并反射未被吸收的紫外光和其他對CMOS成像有影響的光。

6.根據權利要求5所述的基于光子晶體濾波和量子點光譜轉換的日盲紫外成像裝置，其特征在于：所述一維光子晶體后濾波器采用真空鍍膜裝置在石英基底上進行制備，其結構為K（M₁/N₁）₅（M₂/N₂）₅（M₃/N₃）_4?，所選材料M為MgF_2?、N為GaP、K代表石英基底，折射率n_M=1.383，n_H=3.340，n_K=1.?458；厚度d_M1=0.44d₄，d_N1=0.56d₄，d_M2=0.13d₅，d_N2=0.87d₅，d_M3=0.26d₆，d_N3=0.74d₆，其中d₄=179nm，d₅=132nm，d₆=75nm，d_K=0.5mm。

7.根據權利要求1-6權利要求中的任意一項權利要求所述的基于光子晶體濾波和量子點光譜轉換的日盲紫外成像裝置，其特征在于：先利用相分離技術在ITO薄膜上制備單層有序排列的直徑為4.3nm?的CdSe量子點層，再采用轉印技術將有序排列的單層CdSe?量子點轉印在前濾波器或后濾波器上，將前后濾波器粘合即可得到量子點光譜轉換器。