[發明專利]一種超級電容的電壓調節方法、裝置及系統

有效

• 申請號: 201410081221.6
• 申請日: 2014-03-06
• 公開（公告）號: CN103870400B
• 公開（公告）日: 2018-11-30
• 發明（設計）人: 劉偉建
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: G06F12/16
• 分類號: G06F12/16
• 代理公司: 深圳市深佳知識產權代理事務所(普通合伙) 44285
• 代理人: 王仲凱

本發明實施例公開了一種超級電容的電壓調節方法及裝置，用于減緩超級電容的老化，延長超級電容的壽命。本發明實施例包括：所述超級電容用于對執行業務的控制芯片進行掉電保護，所述控制芯片中包括高級緩沖存儲器Cache，其中，所述方法包括：獲取攜帶系統業務量的信息；根據所述信息，配置高速緩沖存儲器Cache可利用的容量值的大小；根據配置的所述Cache可利用的容量值的大小，調節超級電容的工作電壓。

技術領域

本發明涉及存儲技術領域，尤其是涉及一種超級電容的電壓調節方法、裝置及系統。

背景技術

目前，硬盤陣列（RAID，Redundant Array of Independent Disks）/固態硬盤（SSD，Solid-State Disk）卡上的掉電保護主要使用“Nand flash（flash內存）+超級電容/電池”來實現。即當主電源故障時，由于超級電容/電池具有放電能力，因此可以作為后備電池，提供備電電源，將高速緩沖存儲器（Cache）中的數據保存到Nand flash或其他掉電不丟失的存儲介質中。

例如，假設超級電容的工作電壓固定于某一電壓值U₁，其中所述U₁需要滿足最大業務時的掉電保護時間，可一并參考圖1，圖1為現有中超級電容的工作電壓與其放電能力的對比示意圖；如圖，由于超級電容上一直存在電壓應力，對超級電容的壽命有較大影響，并且工作電壓越大，超級電容老化越快。

發明內容

本發明實施例提供了一種超級電容的電壓調節方法、裝置及系統，用于減緩超級電容的老化，延長超級電容的壽命。

有鑒于此，本發明第一方面提供一種超級電容的電壓調節方法，所述超級電容用于對執行業務的控制芯片進行掉電保護，所述控制芯片中包括高級緩沖存儲器Cache，其中，所述方法包括：

獲取攜帶系統業務量的信息；

根據所述信息，配置高速緩沖存儲器Cache可利用的容量值的大小；

根據配置的所述Cache可利用的容量值的大小，調節超級電容的工作電壓。

在第一方面的第一種可能實現的方式中，所述攜帶系統業務量的信息為系統接口的有效流量的信息；

所述根據所述信息，配置高速緩沖存儲器Cache可利用的容量值的大小，包括：當所述有效流量增大時，配置Cache可利用的容量值增大，當所述有效流量減小時，配置Cache可利用的容量值減小。

結合第一種可能實現的方式，在第二種可能實現的方式中，

當確定出系統接口的有效流量在預置時間段內滿足預置流量范圍，則根據預置流量范圍與高速緩沖存儲器Cache可利用的容量值的大小之間的對應關系，將下一預置時間段內Cache的可利用的容量值的大小配置為與所述預置流量范圍相對應的容量值。

結合第一種可能實現的方式，在第三種可能實現的方式中，所述獲取攜帶系統業務量的信息之前，包括：獲取系統接口的有效流量；

若所述控制芯片用于執行磁盤陣列RAID業務，所述控制芯片為RAID控制器，所述系統接口為PCIE接口，則獲取系統接口的有效流量為：

獲取PCIE接口的有效流量；

若所述控制芯片用于執行固態硬盤SSD業務，所述控制芯片為SSD控制器，所述系統接口為PCIE接口或者SAS/SATA接口，則獲取系統接口的有效流量為：

獲取PCIE接口或者SAS/SATA接口的有效流量。

在第一方面的第四種可能實現的方式中，所述攜帶系統業務量的信息為系統業務的時間信息，所述時間信息與系統業務量相對應；