[發明專利]具有減小的磁頭保持間距、頭介質間距或頭到軟底層間距的記錄介質

有效

• 申請號: 201410080609.4
• 申請日: 2009-11-24
• 公開（公告）號: CN103854674A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發明（設計）人: 高凱中;陸斌;B·F·法爾庫;X·馬
• 申請（專利權）人: 希捷科技有限公司
• 主分類號: G11B5/66
• 分類號: G11B5/66;G11B5/667
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張欣

1.一種裝置，包括：

位于基板上的軟磁底層（SUL）；

位于所述SUL上的磁性記錄層；

位于所述磁性記錄層的頂部的鐵磁性介質外涂層；

位于所述SUL和和所述磁性記錄層之間的鐵磁性夾層，其中所述鐵磁性夾層包括含Ru的第一顆粒狀層，且所述第一晶體層位于第二和第三晶體層之間，且所述第二和第三晶體層包括RuCo。

2.如權利要求1所述的裝置，其特征在于：

所述第一晶體層包括Ni合金且厚度約為1-200埃，并且所述第一晶體層在所述SUL或非晶層上；

所述第二晶體層厚度約為0.1-100埃，并且所述第二晶體層在所述第一顆粒狀層上；以及

所述第三晶體層包括Ru且厚度約為1-50埃，并且其中所述鐵磁性夾層進一步包括含RuCo的第四晶體層，其中所述第四晶體層通過所述第三晶體層反鐵磁地耦合到所述第二晶體層。

3.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述鐵磁性夾層的飽和磁化強度（M_s）約為100-1000emu/cc，厚度約為1-1000埃。

4.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述鐵磁性夾層是晶體且顆粒狀的，且包括釕(Ru)、鐵(Fe)、鈷(Co)和鎳(Ni)。

5.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述鐵磁性介質外涂層的飽和磁化強度（M_s）約為100-1000emu/cc，厚度約為0.1-100埃。

6.如權利要求1所述的裝置，其特征在于：

所述第一和第二晶體層反鐵磁性地耦合到所述第四晶體層；以及

所述第一、第二和第四晶體層中的每一個的相應厚度約為1-200埃，飽和磁化強度（M_s）約為100-1000emu/cc。

7.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述鐵磁性介質外涂層包括：Fe、Co、Ni、C、Ni-Fe-C、或Ni-Co-C。

8.一種裝置，包括：

位于軟磁底層（SUL）上的磁性記錄層；

位于所述磁性記錄層的頂部的鐵磁性介質外涂層；

位于所述SUL和和所述磁性記錄層之間的鐵磁性夾層，其中所述鐵磁性夾層包括含Ni的第一晶體層，含RuCo的第二晶體層，和含Ru的第三晶體層，其中所述第三晶體層位于位于所述第二晶體層和第四晶體層之間，其中所述第四晶體層含RuCo。

9.如權利要求8所述的裝置，其特征在于：

所述第一晶體層包括Ni合金且厚度約為1-200埃，并且所述第一晶體層在所述SUL或非晶層上；

所述第二晶體層厚度約為0.1-100埃，并且所述第二晶體層在所述第一顆粒狀層上；以及

所述第三晶體層厚度約為1-50埃，并且其中所述第四晶體層通過所述第三晶體層反鐵磁地耦合到所述第二晶體層。

10.如權利要求8所述的裝置，其特征在于，所述鐵磁性夾層的飽和磁化強度（M_s）約為100-1000emu/cc，厚度約為1-1000埃。

11.如權利要求8所述的裝置，其特征在于，所述鐵磁性夾層是顆粒狀的，且包括釕(Ru)、鐵(Fe)、鈷(Co)和鎳(Ni)。

12.如權利要求8所述的裝置，其特征在于，所述鐵磁性介質外涂層的飽和磁化強度（M_s）約為100-1000emu/cc，厚度約為0.1-100埃。

13.如權利要求8所述的裝置，其特征在于：

所述第一和第二晶體層反鐵磁性地耦合到所述第四晶體層；以及

所述第一、第二和第四晶體層中的每一個的相應厚度約為1-200埃，飽和磁化強度（M_s）約為100-1000emu/cc。

14.如權利要求8所述的裝置，其特征在于，所述鐵磁性介質外涂層包括：Fe、Co、Ni、C、Ni-Fe-C、或Ni-Co-C。