[發(fā)明專利]一種暴露銳鈦礦二氧化鈦高能面的異質(zhì)結(jié)納米管陣列薄膜光催化材料及制備方法和應(yīng)用無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410080366.4 | 申請日: | 2014-03-06 |
| 公開(公告)號: | CN103861576A | 公開(公告)日: | 2014-06-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 胡文麗;于濤;黃娟茹;石婷;譚欣 | 申請(專利權(quán))人: | 天津大學(xué) |
| 主分類號: | B01J23/02 | 分類號: | B01J23/02;C02F1/461;C02F1/30;C02F103/30 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所 12201 | 代理人: | 王秀奎 |
| 地址: | 300072*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 暴露 銳鈦礦二 氧化 高能 異質(zhì)結(jié) 納米 陣列 薄膜 光催化 材料 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種暴露銳鈦礦二氧化鈦高能面的異質(zhì)結(jié)納米管陣列薄膜光催化材料,其特征在于,所述光催化材料由銳鈦礦型二氧化鈦和SrTiO3組成,所述銳鈦礦型二氧化鈦暴露并取向生長(004)高能晶面,按照下述步驟進行制備:?
步驟1,利用陽極氧化法制備TiO2納米管材料;?
步驟2,以步驟1制備的TiO2納米管材料為反應(yīng)物,在Sr(OH)2水溶液中反應(yīng)后,使其在空氣氣氛中自然冷卻至室溫20—25℃;?
步驟3,將步驟2制備的樣品在空氣氛圍下從室溫20—25℃升至450℃,升溫速率為2℃/min,并在該溫度下恒溫1.5—2h,焙燒完成自然冷卻至室溫20—25℃取出。?
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種暴露銳鈦礦二氧化鈦高能面的異質(zhì)結(jié)納米管陣列薄膜光催化材料,其特征在于,在所述步驟2中,所述Sr(OH)2水溶液的濃度為0.025mol/L,反應(yīng)溫度為180—220℃,反應(yīng)時間為20min—5h。?
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種暴露銳鈦礦二氧化鈦高能面的異質(zhì)結(jié)納米管陣列薄膜光催化材料,其特征在于,在所述步驟2中,優(yōu)選200—220℃反應(yīng)1—2h。?
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種暴露銳鈦礦二氧化鈦高能面的異質(zhì)結(jié)納米管陣列薄膜光催化材料,其特征在于,在步驟1的陽極氧化制備過程中,選用Ti片和Pt電極,由乙二醇、NH4F和三蒸水組成的反應(yīng)電解質(zhì)溶液,其中三蒸水體積為乙二醇體積的3%,NH4F的質(zhì)量為乙二醇質(zhì)量的0.5%,以穩(wěn)壓穩(wěn)流電源提供直流電源60V,并加以磁力攪拌進行陽極氧化。?
5.一種暴露銳鈦礦二氧化鈦高能面的異質(zhì)結(jié)納米管陣列薄膜光催化材料的制備方法,其特征在于,按照下述步驟進行制備:?
步驟1,利用陽極氧化法制備TiO2納米管材料;?
步驟2,以步驟1制備的TiO2納米管材料為反應(yīng)物,在Sr(OH)2水溶液中反應(yīng)后,使其在空氣氣氛中自然冷卻至室溫20—25℃;?
步驟3,將步驟2制備的樣品在空氣氛圍下從室溫20—25℃升至450℃,升溫速率為2℃/min,并在該溫度下恒溫1.5—2h,焙燒完成自然冷卻至室溫20—25℃取出,即制備所述光催化材料,所述光催化材料由銳鈦礦型二氧化鈦和SrTiO3組成,所述銳鈦礦型二氧化鈦暴露并取向生長(004)高能晶面。?
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種暴露銳鈦礦二氧化鈦高能面的異質(zhì)結(jié)納米管陣列薄膜光催化材料的制備方法,其特征在于,在所述步驟2中,所述Sr(OH)2水溶液的濃度為0.025mol/L,反應(yīng)溫度為180—220℃,反應(yīng)時間為20min—5h。?
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種暴露銳鈦礦二氧化鈦高能面的異質(zhì)結(jié)納米管陣列薄膜光催化材料的制備方法,其特征在于,在所述步驟2中,優(yōu)選200—220℃反應(yīng)1—2h。?
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種暴露銳鈦礦二氧化鈦高能面的異質(zhì)結(jié)納米管陣列薄膜光催化材料的制備方法,其特征在于,在步驟1的陽極氧化制備過程中,選用Ti片和Pt電極,由乙二醇、NH4F和三蒸水組成的反應(yīng)電解質(zhì)溶液,其中三蒸水體積為乙二醇體積的3%,NH4F的質(zhì)量為乙二醇質(zhì)量的0.5%,以穩(wěn)壓穩(wěn)流電源提供直流電源60V,并加以磁力攪拌進行陽極氧化。?
9.如權(quán)利要求1—4之一所述的暴露銳鈦礦二氧化鈦高能面的異質(zhì)結(jié)納米管陣列薄膜光催化材料在催化降解亞甲基藍(lán)和羅丹明B中的應(yīng)用。?
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