[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410080036.5 | 申請(qǐng)日： | 2014-03-06 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104037286A | 公開（公告）日： | 2014-09-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 木村重哉;名古肇;布上真也 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 株式會(huì)社東芝 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/06 | 分類號(hào)： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00;H01S5/34 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人： | 肖靖 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 發(fā)光 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，包括：
包括氮化物半導(dǎo)體的n型第一半導(dǎo)體層；
包括氮化物半導(dǎo)體的p型第二半導(dǎo)體層；以及
設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層之間的發(fā)光單元，所述發(fā)光單元包括多個(gè)阱層和多個(gè)勢(shì)壘層，所述多個(gè)阱層與所述多個(gè)勢(shì)壘層交替堆疊，
所述阱層包括最接近所述第二半導(dǎo)體層的第一p側(cè)阱層、以及第二最接近所述第二半導(dǎo)體層的所述第二p側(cè)阱層，
所述第一p側(cè)阱層的激子的定域能小于所述第二p側(cè)阱層的激子的定域能。
2.如權(quán)利要求1所述的元件，其中所述第一p側(cè)阱層的厚度不小于3納米且不大于6納米，并且所述第二p側(cè)阱層的厚度不小于3納米且不大于6納米。
3.如權(quán)利要求1所述的元件，其中所述第一p側(cè)阱層的激子的定域能小于30毫電子伏特。
4.如權(quán)利要求1所述的元件，其中所述第二p側(cè)阱層的激子的定域能不小于50毫電子伏特。
5.如權(quán)利要求1所述的元件，其中所述第二p側(cè)阱層的激子的定域能不小于40毫電子伏特。
6.如權(quán)利要求1所述的元件，其中所述第二p側(cè)阱層的激子的定域能不小于30毫電子伏特。
7.如權(quán)利要求1所述的元件，其中所述第一p側(cè)阱層的激子的定域能小于40毫電子伏特。
8.如權(quán)利要求1所述的元件，其中所述第一p側(cè)阱層的激子的定域能小于50毫電子伏特。
9.如權(quán)利要求1所述的元件，其中所述第二p側(cè)阱層的In濃度的波動(dòng)大于所述第一p側(cè)阱層的In濃度的波動(dòng)。
10.如權(quán)利要求1所述的元件，其中所述第二p側(cè)阱層的厚度在所述第二p側(cè)阱層的平面中的波動(dòng)比所述第一p側(cè)阱層的厚度在所第一p側(cè)阱層的平面中的波動(dòng)大。
11.如權(quán)利要求1所述的元件，其中所述阱層的激子的定域能從所述第一半導(dǎo)體層側(cè)向所述第二半導(dǎo)體層側(cè)降低。
12.如權(quán)利要求1所述的元件，其中所述第二p側(cè)阱層的生長速率比所述第一p側(cè)阱層的生長速率低。
13.一種用于制造半導(dǎo)體發(fā)光元件的方法，包括：
形成包括氮化物半導(dǎo)體的n型第一半導(dǎo)體層；
通過在所述第一半導(dǎo)體層上交替堆疊阱層和勢(shì)壘層來形成包括多個(gè)阱層和多個(gè)勢(shì)壘層的發(fā)光單元；以及
在所述發(fā)光單元上形成包括氮化物半導(dǎo)體的p型第二半導(dǎo)體層，
所述阱層包括最接近所述第二半導(dǎo)體層的第一p側(cè)阱層、以及第二最接近所述第二半導(dǎo)體層的所述第二p側(cè)阱層，
所述第一p側(cè)阱層的激子的定域能小于所述第二p側(cè)阱層的激子的定域能。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第二p側(cè)阱層的生長速率比所述第一p側(cè)阱層的生長速率低。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第二p側(cè)阱層的生長速率不小于第一p側(cè)阱層生長速率的1/10并且不大于第一p側(cè)阱層生長速率的1/2。
16.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第二p側(cè)阱層的生長速率不小于第一p側(cè)阱層生長速率的1/5并且不大于第一p側(cè)阱層生長速率的2/5。
17.如權(quán)利要求13所述的方法，其中
通過供給V族元素和III族元素進(jìn)行所述阱層的堆疊，并且
在所述第二p側(cè)阱層形成中的V族元素的供給量與III族元素的供給量之比高于在所述第一p側(cè)阱層形成中的V族元素的供給量與III族元素的供給量之比。
18.如權(quán)利要求13所述的方法，其中
通過供給V族元素和III族元素進(jìn)行所述阱層的堆疊，
在所述第二p側(cè)阱層的形成中的V族元素的供給量與在所述第一p側(cè)阱層的形成中的V族元素的供給量相同，并且
在所述第二p側(cè)阱層的形成中的III族元素的供給量小于在所述第一p側(cè)阱層的形成中的III族元素的供給量。
19.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第二p側(cè)阱層的In濃度的波動(dòng)大于所述第一p側(cè)阱層的In濃度的波動(dòng)。
20.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第二p側(cè)阱層的厚度在所述第二p側(cè)阱層的平面中的波動(dòng)比所述第一p側(cè)阱層的厚度在第一p側(cè)阱層的平面中的波動(dòng)大。
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