[發明專利]一種VDMOS器件結溫的測試方法

有效

• 申請號: 201410079725.4
• 申請日: 2014-03-06
• 公開（公告）號: CN103822731A
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發明（設計）人: 郭春生;王琳;馮士維;李睿;張燕峰;李世偉
• 申請（專利權）人: 北京工業大學
• 主分類號: G01K7/16
• 分類號: G01K7/16
• 代理公司: 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203
• 代理人: 張慧

1.一種VDMOS器件結溫的測試方法，包括被測VDMOS器件（1）、溫箱（2）、圖示儀（3）、器件夾具（4）；所述溫箱（2）用于對所述器件（1）加溫，所述圖示儀（3）內裝電源，用于給所述器件（1）加電流、電壓、測量器件通態電阻；其特征在于，所述測試方法包括以下步驟：

步驟一，將所述器件（1）通過導線與所述圖示儀（3）的所述器件夾具（4）相連，并將所述器件（1）放入所述溫箱（2）內，利用所述溫箱（2）給所述器件（1）加熱；

步驟二，設置所述溫箱（2）的初始溫度，使所述器件（1）的溫度穩定在所述溫箱（2）設定的溫度，并保持一段時間，然后給所述器件（1）加一柵極電壓，并在漏源極間加一脈沖電流，利用所述圖示儀（3）測試所述器件（1）在此溫度下的通態電阻；按一定的步長逐步改變所述溫箱（2）的溫度，測出不同溫度下所述器件（1）的通態電阻；

步驟三，將測量數據繪制成溫度-通態電阻曲線；

步驟四，確定所述器件（1）處于工作狀態時的通態電阻；

步驟五，根據所述器件（1）的溫度-通態電阻曲線及工作狀態時的通態電阻，確定所述器件（1）處于該工作狀態時對應的結溫。

2.根據權利要求1所述的一種VDMOS器件結溫的測試方法，其特征在于，為了消除步驟一所述導線的電阻引起的測量誤差，在步驟一之前需要測量誤差通態電阻；測量方法如下：

（1）將所述器件（1）直接與所述器件夾具（4）相連，并對所述器件（1）加與步驟二相同的柵極電壓和脈沖電流，利用所述圖示儀（3）測試所述器件（1）的第一參考通態電阻；

（2）將所述器件（1）通過步驟一所述導線與所述器件夾具（4）連接，并對所述器件（1）加與步驟二相同的柵極電壓和脈沖電流，利用所述圖示儀（3）測試所述器件（1）的第二參考通態電阻；

（3）將第一參考通態電阻和第二參考通態電阻相減，得到所述器件（1）通過導線連接時產生的誤差通態電阻。

3.根據權利要求1所述的一種VDMOS器件結溫的測試方法，其特征在于，步驟二所述的脈沖電流為窄脈沖大電流，用于防止器件自升溫對測量精度的影響。

4.根據權利要求1所述的一種VDMOS器件結溫的測試方法，其特征在于，步驟三所述的通態電阻等于步驟二所測得的通態電阻減去所述誤差通態電阻。

5.根據權利要求1所述的一種VDMOS器件結溫的測試方法，其特征在于，步驟四所述的通態電阻的確定方法是：首先，使所述器件（1）處于工作狀態，柵極電壓等于步驟二所加柵極電壓，利用所述圖示儀（3）測量所述器件（1）的輸出特性曲線，然后由輸出特性曲線求漏源電流等于步驟二所加脈沖電流峰值時的通態電阻。