[發明專利]化學傳感器及用于制造該化學傳感器的方法

無效

• 申請號: 201410079450.4
• 申請日: 2014-01-29
• 公開（公告）號: CN103969311A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: F·邁爾;M·萊希納;C·庫爾敏;R·胡梅爾;羅伯特·蘇尼爾
• 申請（專利權）人: 盛思銳股份公司
• 主分類號: G01N27/333
• 分類號: G01N27/333
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 宋超

1.一種化學傳感器，包括具有前表面(2.1)和后表面(2.2)的基板層(2)，和布置在所述基板層(2)的所述前表面(2.1)上的傳感層(3)，所述傳感層(3)包括傳感元件(4)，并且所述基板層(2)在所述后表面(2.2)上設置有孔(5)從而形成包含所述傳感元件(4)的膜(6)，其特征在于：

-所述基板層(2)在所述后表面(2.2)上設置有接觸片(10)并且設置有從所述前表面(2.1)延伸到所述后表面(2.2)、用于將所述傳感元件(4)與所述接觸片(10)進行電連接的通孔(11)；

-其中處理層(17)設置在所述傳感層(3)的頂部，所述處理層(17)包圍所述傳感元件(4)；以及

-其中所述處理層(17)的厚度(d1)大于所述基板層(2)的厚度(d2)。

2.根據權利要求1所述的化學傳感器，其中所述處理層(17)的厚度(d1)為整個化學傳感器(1)的厚度(d3)的至少50％。

3.根據權利要求1或2所述的化學傳感器，其中所述處理層(17)的厚度(d1)在200到500微米的范圍內。

4.根據前述權利要求之一所述的化學傳感器，其中所述基板層(2)的厚度(d2)比所述膜(6)的橫向延伸小。

5.根據前述權利要求之一所述的化學傳感器，其中所述基板層(2)的厚度(d2)在50到200微米的范圍內。

6.根據前述權利要求之一所述的化學傳感器，其中所述處理層(17)由硅或玻璃制成。

7.根據前述權利要求之一所述的化學傳感器，其中所述處理層(17)的前表面(17.1)是光滑的。

8.一種用于制造根據前述權利要求之一所述的化學傳感器的方法，所述方法包括以下步驟：

-在大塊基板上形成包含所述傳感元件(4)的傳感層(3)；

-在所述傳感層(3)的頂部形成包圍所述傳感元件(4)的處理層(17)；

-將所述大塊基板的厚度減小到比所述處理層(17)的厚度(d1)小的厚度(d2)，從而從所述大塊基板形成所述基板層(2)；

-在所述基板層(2)中形成通孔(11)，所述通孔(11)從所述基板層(2)的前表面(2.1)延伸到后表面(2.2)；以及

-在所述基板層(2)的后表面(2.2)中形成孔(5)，從而形成包含所述傳感元件(4)的膜(6)。

9.根據權利要求8所述的方法，其中將所述大塊基板的厚度減小到厚度(d2)以形成所述基板層(2)，從而使得所述處理層(17)的厚度(d1)為整個化學傳感器(1)的厚度(d3)的至少50％。

10.根據權利要求8或9所述的方法，其中所述處理層(17)的厚度(d1)在200到500微米的范圍內。

11.根據權利要求8-10之一所述的方法，其中將所述大塊基板的厚度減小到50-200微米范圍內的厚度(d2)以形成所述基板層(2)。

12.根據權利要求8-11之一所述的方法，其中所述孔(5)形成在所述基板層(2)的所述后表面(2.2)中，使得所述膜(6)的橫向延伸比所述基板層(2)的厚度(d2)大。

13.根據權利要求8-12之一所述的方法，其中為了在所述傳感層(3)的頂部形成所述處理層(17)，在所述傳感層(3)的頂部提供粘合層(18)，所述粘合層(18)包圍所述傳感元件(4)并將所述處理層(17)與所述傳感層(3)的頂部連接。

14.根據權利要求8-13之一所述的方法，其中所述處理層(17)由硅或玻璃制成。

15.根據權利要求8-14之一所述的方法，其中所述處理層(17)的頂部被研磨以形成所述處理層的光滑前表面(17.1)。