[發明專利]一種輸入輸出接口裝置以及芯片系統有效
| 申請號： | 201410079121.X | 申請日： | 2014-03-05 |
| 公開（公告）號： | CN104901678B | 公開（公告）日： | 2018-07-20 |
| 發明（設計）人： | 陳建梅;胡洪 | 申請（專利權）人： | 北京兆易創新科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H03K19/0175 | 分類號： | H03K19/0175 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬;鄧猛烈 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 輸入輸出 接口 裝置 以及 芯片 系統 | ||
1.一種輸入輸出接口裝置，其特征在于，包括：信號放大單元和對地電流產生單元，其中，
所述信號放大單元用于對輸入電壓信號進行放大并輸出第一電壓信號；其中，所述信號放大單元包括第一電阻和第一放大電路；
所述第一電阻的一端作為所述信號放大單元的輸入端，所述第一電阻的另一端與所述第一放大電路的輸入端連接，所述第一放大電路的輸出端作為所述信號放大單元的輸出端；
所述對地電流產生單元與所述信號放大單元連接，用于當所述第一電壓信號為0信號時，為所述信號放大單元提供正反饋的對地電流；
其中，所述對地電流產生單元包括第二電阻、第一反相器和第一NMOS管；
所述第二電阻的一端與所述信號放大單元的輸入端連接，所述第二電阻的另一端與所述第一NMOS管的漏極連接，所述第一NMOS管的源極接地，所述第一NMOS管的柵極與所述第一反相器的輸出端連接，所述第一反相器的輸入端與所述信號放大單元的輸出端連接；或，
所述對地電流產生單元包括第二NMOS管、第三NMOS管和第一PMOS管；
所述第二NMOS管的漏極與所述信號放大單元的輸入端連接，所述第二NMOS管的源極接地，所述第二NMOS管的柵極分別與所述第三NMOS管的漏極和所述第一PMOS管的漏極連接，所述第三NMOS管的源極接地，所述第三NMOS管的柵極和所述第一PMOS管的柵極與所述信號放大單元的輸出端連接，所述第一PMOS管的源極接基準電壓源。
2.根據權利要求1所述的輸入輸出接口裝置，其特征在于，所述第二電阻的阻值大于第一電阻的阻值。
3.一種芯片系統，其特征在于，包括如權利要求1、2中任一項所述的輸入輸出接口裝置。
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