[發明專利]有機發光二極管顯示器及其制造方法有效
| 申請號: | 201410079038.2 | 申請日: | 2014-03-05 |
| 公開(公告)號: | CN104218053B | 公開(公告)日: | 2020-01-03 |
| 發明(設計)人: | 李清;吳相憲 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 11018 北京德琦知識產權代理有限公司 | 代理人: | 于會玲;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 無機層 有機發光二極管顯示器 柔性基板 有機發光二極管 薄膜封裝層 邊緣接合 顯示圖像 偏光膜 外邊緣 附接 毯狀 顯示器 擴散 延伸 覆蓋 配置 制造 | ||
1.一種有機發光二極管顯示器,包括:
柔性基板;
第一無機層,覆蓋所述柔性基板的整個上表面;
顯示單元,形成在所述第一無機層的第一部分上而使所述第一無機層的第二部分暴露,所述顯示單元包括被配置為顯示圖像的多個有機發光二極管;
薄膜封裝層,覆蓋形成在所述第一無機層的第一部分上的所述顯示單元,而不覆蓋所述第一無機層的第二部分的大部分,但與所述第一無機層的第二部分的內邊界部分接合以便完全封裝所述顯示單元,所述薄膜封裝層包括至少一個有機層和至少一個無機層;以及
偏光膜,附接至并覆蓋所述薄膜封裝層以及所述第一無機層的延伸到所述薄膜封裝層外側之外的一部分,使得所述偏光膜與所述第一無機層結合地充分封裝所述薄膜封裝層和所述顯示單元的組合,
其中:
在所述顯示單元的外側以及所述第一無機層的所述第二部分上放置有焊盤區,
集成電路芯片被放置在所述焊盤區上,并且
所述偏光膜不覆蓋所述焊盤區。
2.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器,其中:
所述偏光膜附接至并覆蓋所述第一無機層的除了所述焊盤區之外的整個剩余區域。
3.根據權利要求2所述的有機發光二極管顯示器,其中:
所述偏光膜包括與所暴露的焊盤區的邊緣接觸的一邊以及與所述第一無機層的剩余區域的邊緣匹配的三邊。
4.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器,其中:
所述柔性基板由聚合物膜形成,并且
所述第一無機層包括阻擋層和緩沖層中的至少一個。
5.一種制造有機發光二極管顯示器的方法,包括:
在母基板上形成第一無機層;
在所述第一無機層上形成間隔開的多個顯示單元以便限定多個單位單元的矩陣;
在所述顯示單元的相應顯示單元的上部形成間隔開的且相應的薄膜封裝層,所述薄膜封裝層包括至少一個有機層和至少一個無機層;
將一個或多個偏光膜附接至所述第一無機層,而同時覆蓋所述薄膜封裝層的所有或對應子集;并且
通過切割所述母基板和所述偏光膜將所述一個或多個偏光膜覆蓋的所述多個單位單元分離成單個的單位單元,
其中:
所述多個單位單元中的每一個包括暴露在所述顯示單元的外側以便與外部電路電接觸的焊盤區,
集成電路芯片被放置在所述焊盤區上,并且
所述一個或多個偏光膜不覆蓋所述焊盤區。
6.根據權利要求5所述的制造有機發光二極管顯示器的方法,其中:
所述母基板由柔性聚合物膜形成。
7.根據權利要求6所述的制造有機發光二極管顯示器的方法,其中:
所述多個單位單元在彼此交叉的兩個方向上成行布置,并且
所述多個顯示單元和多個焊盤區中的每個在所述兩個方向中的一個方向上成行布置。
8.根據權利要求7所述的制造有機發光二極管顯示器的方法,其中:
由所述一個或多個偏光膜提供開口,所述開口在數目上與提供在所述母基板上的焊盤區的行的數目相同,其中所述開口是暴露相應的多個焊盤區的開口。
9.根據權利要求8所述的制造有機發光二極管顯示器的方法,其中:
所述偏光膜被提供有與所述一個方向平行的狹縫狀開口,以同時暴露被放置在所述一個方向上的所述多個焊盤區。
10.根據權利要求9所述的制造有機發光二極管顯示器的方法,其中:
所述多個焊盤區中的一行焊盤區被放置在所述偏光膜的一個外側邊緣的外側。
11.根據權利要求7所述的制造有機發光二極管顯示器的方法,其中:
對于一個以上偏光膜的情況,所述偏光膜以與所述一個方向平行的桿狀形成,以覆蓋多個薄膜封裝層中的與所述一個方向平行放置的一行薄膜封裝層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





