[發明專利]NAND Flash頁面自適應的方法及裝置

有效

• 申請號: 201410078999.1
• 申請日: 2014-03-05
• 公開（公告）號: CN103838608B
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 徐凱
• 申請（專利權）人: 深圳市中興物聯科技有限公司
• 主分類號: G06F8/73
• 分類號: G06F8/73
• 代理公司: 深圳協成知識產權代理事務所(普通合伙) 44458
• 代理人: 章小燕

本發明適用于存儲技術領域，提供了一種NAND Flash頁面自適應的方法及裝置，所述方法包括如下步驟：當進行NAND Flash頁面讀寫操作，且所述NAND Flash的頁面大小為第一數值和第二數值時，對所述NAND Flash頁面起始位置的第三數值的空間進行讀寫操作；所述第三數值小于第一數值和第二數值；當進行NAND Flash頁面讀寫操作，且所述NAND Flash的頁面大小為第三數值時，對所述NAND Flash的全部空間進行讀寫操作。本發明提出的方法及裝置可適應不同頁面大小的NAND Flash的讀寫操作。

技術領域

本發明屬于存儲技術領域，尤其涉及一種NAND Flash頁面自適應的方法及裝置。

背景技術

隨著嵌入式技術的飛速發展，各種應用對存儲設備的要求也隨之提高。嵌入式設備由于受成本、體積等因素的影響通常需要使用較大容量的非易失性的存儲設備。NANDFlash存儲器由于其具有存儲容量大、價格便宜、掉電數據不丟失等優點，目前被廣泛用于移動電話、數碼相機、電視機頂盒等電子產品中。

NAND Flash設備的結構分為多個存儲塊（Block），每個Block由多個頁（Page）組成。Block是NAND Flash的最小可擦除的單位，Block的基本組成單位Page是NAND Flash的最小可編程單位。Page進一步劃分為主數據區（main data）和剩余數據區（spare data）。NAND Flash常見的頁面大小有512B、2KB和4KB這3種類型。512B的頁實際大小是528字節，它的主數據區大小是512B，其他數據區占16B（其中Spare User Data-5bytes，ECC-10bytes，Reserved-1byte）。而2KB和4KB頁分別由4個和8個528字節的數據區組成，每個528 字節的數據區的主數據區大小都是512字節。512B與2KB頁面結構的對比如圖1、圖2所示。

EFS是高通設計的基于NAND Flash的文件系統，文件系統與Flash頁的結構密切相關，EFS文件系統分為5層，最底層是硬件層，NAND Flash硬件處于硬件層；第二層是NANDController層，該層的作用的提供訪問NAND Flash設備的接口給上層；第三層是NANDFlash驅動層，該層的功能是提供基本的Flash讀寫擦出等操作接口給上層；第四層是文件系統層，提供文件操作API給應用層；最上層是應用層。

由于不同大小頁面的結構不同，因此NAND Flash的讀寫訪問時需要針對不同的頁面做不同的處理。傳統的做法是對于不同的頁面編寫不同的驅動代碼，然后生成各自的bin文件燒寫到對應的NAND Flash中，這種做法的缺點是會帶來軟件維護方面的麻煩。另一種常見的做法是編寫2套不同的文件系統代碼來適應小頁面（512B）和大頁面（2KB和4KB），例如Linux系統下流行的yaffs文件系統用于小頁面，而yaffs2文件系統用于大頁面。這種做法的好處是能夠自適應不同的頁面，缺點是需要使用2套不同的文件系統代碼接口，在軟件的設計上比較麻煩。

發明內容

本發明實施例的目的在于提供一種NAND Flash頁面自適應的方法及裝置，旨在解決現有的NAND Flash在訪問時因不同頁面大小需 要不同的代碼造成維護困難的問題。

本發明實施例是這樣實現的，一種NAND Flash頁面自適應的方法，所述方法包括如下步驟：

當進行NAND Flash頁面讀寫操作，且所述NAND Flash的頁面大小為第一數值和第二數值時，對所述NAND Flash頁面起始位置的第三數值的空間進行讀寫操作；所述第三數值小于第一數值和第二數值；

當進行NAND Flash頁面讀寫操作，且所述NAND Flash的頁面大小為第三數值時，對所述NAND Flash的全部空間進行讀寫操作。

進一步地，所述對NAND Flash頁面起始位置的第三數值的空間進行讀寫操作進一步為：