[發明專利]用于嵌入式快閃存儲器的內建自測試方法及裝置

有效

• 申請號: 201410078732.2
• 申請日: 2014-03-05
• 公開（公告）號: CN103839592B
• 公開（公告）日: 2017-06-06
• 發明（設計）人: 任棟梁;錢亮
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C29/12
• 分類號: G11C29/12
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

技術領域

本發明涉及嵌入式快閃存儲器技術領域，特別是涉及一種用于嵌入式快閃存儲器的內建自測試方法及裝置。

背景技術

嵌入式快閃存儲器（又稱“嵌入式閃存”，英文：Flash Memory或E-flash）是嵌入式芯片自帶（內嵌）的存儲器。諸如身份識別卡芯片（SIM卡芯片）、單片機芯片（MCU芯片）或單芯片系統（SOC）等嵌入式芯片中往往會帶有嵌入式快閃存儲器。

嵌入式芯片經制造完成后，在出廠前需要先對其質量進行檢測，該檢測工作可以通過多種方式來完成，例如可以直接測試、用嵌入式CPU進行測試或采用內建自測試技術（MBIST）等。其中，內建自測試是一種可測性設計（DFT）技術，在此技術中測試是通過內建的硬件功能完成的，可以快速而有效地完成上述檢測工作。

嵌入式快閃存儲器通常包括nvr陣列（nvr array）和main陣列（main array），其中，nvr陣列用于保存配置信息，main陣列用于供用戶實際使用。對嵌入式快閃存儲器進行的內建自測試通常是針對其中的nvr陣列。

內建自測試通常依次包括第一探查步驟（CP1）、模擬老化步驟（又稱“烘烤步驟”，BAKE）和第二探查步驟（CP2）。第一探查步驟的工作是：對芯片的嵌入式快閃存儲器模塊（后簡稱“閃存模塊”）進行寫入、讀取及擦除操作；模擬老化步驟的工作是：對閃存模塊進行烘烤，以模擬出閃存模塊經過一段時間使用后的狀況；第二探查步驟的工作是：從閃存模塊中讀取數據，并與第一探查步驟中寫入的數據進行比對，判斷該芯片是否因老化的原因而丟失數據。

然而，現有技術在對芯片的閃存模塊進行內建自測試時，僅僅只在其部分的存儲空間內寫入數據。以nvr陣列為例，nvr陣列通常包括兩行（row），分別為第0行（row0）和第1行（row1）。現有技術在第一探查步驟中僅在第0行中寫入測試數據，而不會在第1行中寫入數據，此后，在第二探查步驟中，也僅僅只讀取第0行中的數據并比對。

由此可見，現有技術中內建自測試的方法其檢測覆蓋率較低，從而測試準確率也較低。

由于芯片的閃存模塊在進行內建自測試時（采用MBIST MODE），其時序/電壓/頻率的設置與用戶實際使用時（采用CPU MODE）所采用的有所不同，因此，內建自測試并不能保證所有的質量問題都能在測試過程中被發現，產品在通過了內建自測試之后，仍有可能在用戶實際使用時出現質量問題。因此，如何提高內建自測試的檢測覆蓋率以及測試準確率，是一個亟需解決的問題。

發明內容

本發明解決的是現有技術中用于嵌入式快閃存儲器的內建自測試方法測試準確率較低的技術問題。

為了解決上述問題，本發明實施例提供一種用于嵌入式快閃存儲器的內建自測試方法，包括：第一探查步驟、模擬老化步驟、第二探查步驟，所述第一探查步驟包括：

生成原始測試數據；

獲取測試數據變換規則；

根據所述原始測試數據和所述變換規則，生成變換后數據；

將所述原始測試數據和所述變換后數據分別寫入閃存模塊中nvr陣列的第0行和第1行；

所述第二探查步驟包括：

分別讀取所述閃存模塊中nvr陣列的第0行和第1行的數據；

基于從第0行和第1行讀取的數據，判斷所述閃存模塊是否通過測試。

可選的，所述變換規則具體為：

變換后數據=0xff-原始測試數據

其中，0xff為全1序列。

可選的，所述基于從第0行和第1行讀取的數據，判斷所述閃存模塊是否通過測試具體是：

將從第0行和第1行讀取的數據相加；

若相加后結果為0xff，則測試通過，若相加后結果為0xff以外的任何值，則測試未通過。

可選的，所述基于從第0行和第1行讀取的數據，判斷所述閃存模塊是否通過測試具體是：

將寫入第0行的數據與從第0行讀取的數據進行比對，將寫入第1行的數據與從第1行讀取的數據進行比對；

若兩次比對結果均顯示相同，則測試通過，若兩次比對結果中任意一次顯示不同，則測試未通過。

可選的，所述nvr陣列為nvr1陣列或nvr2陣列，所述nvr陣列包括第0行和第1行，所述第0行和所述第1行的容量均為256字節或128字節。