[發(fā)明專利]利用石墨烯帶電在石墨烯上生長(zhǎng)高K介質(zhì)的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410078090.6
• 申請(qǐng)日: 2014-03-05
• 公開（公告）號(hào): CN103915328B
• 公開（公告）日: 2017-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周鵬;沈彥;魏紅強(qiáng);沈于蘭;楊松波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 復(fù)旦大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L21/285
• 分類號(hào): H01L21/285;C23C16/455
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司31200
• 代理人: 陸飛,盛志范

1.?然后采用原子層沉積方法在石墨烯上形成高K介質(zhì)薄膜，具體步驟為：

提供需要生長(zhǎng)高K介質(zhì)的石墨烯樣品；

把石墨烯樣品放入電場(chǎng)中，通過電荷感應(yīng)使石墨烯帶電；或者在石墨烯上通電，使石墨烯帶電；

然后在石墨烯樣品上通入水蒸氣，由于石墨烯帶電形成極化陷阱，能物理吸附水分子；

利用原子層沉積方法在樣品樣品上生長(zhǎng)高K介質(zhì)薄膜。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)高K介質(zhì)的方法，其特征在于所述石墨烯樣品生長(zhǎng)或者轉(zhuǎn)移在具有一定厚度的絕緣襯底上。