[發(fā)明專利]功率半導(dǎo)體組件和模塊

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410077986.2
• 申請(qǐng)日: 2014-03-05
• 公開（公告）號(hào): CN104112720B
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: A.卡爾萊蒂
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/367
• 分類號(hào): H01L23/367;H01L23/14;H01L21/50;H01L21/58;H01L21/60
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 張凌苗,胡莉莉

1.一種功率半導(dǎo)體設(shè)備，其包括：

印刷電路板；

散熱器；

位于所述印刷電路板和所述散熱器之間的第一半導(dǎo)體芯片封裝，其中所述第一半導(dǎo)體芯片封裝的發(fā)熱表面被定向使得所述發(fā)熱表面面向所述散熱器；和

在所述第一半導(dǎo)體芯片封裝的上表面和所述印刷電路板之間的隔離物，所述上表面與所述發(fā)熱表面相對(duì)，其中所述第一半導(dǎo)體芯片封裝包括多個(gè)引腳，所述多個(gè)引腳包括與所述隔離物的上表面齊平且彎向所述隔離物的上表面的部分；以及

其中所述隔離物在至少兩側(cè)上覆蓋所述第一半導(dǎo)體芯片封裝的一部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體設(shè)備，其中每個(gè)引腳被電連接到所述印刷電路板。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率半導(dǎo)體設(shè)備，其中所述引腳是彎曲的并且被焊接到所述印刷電路板。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體設(shè)備，其中所述發(fā)熱表面包括金屬表面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體設(shè)備，其中所述隔離物包括緩沖墊片。

6.一種功率半導(dǎo)體設(shè)備，其包括：

印刷電路板；

外殼；

位于所述印刷電路板和所述外殼之間的第一半導(dǎo)體芯片封裝；和

位于所述印刷電路板和所述第一半導(dǎo)體芯片封裝之間的緩沖墊片，其中所述緩沖墊片將所述第一半導(dǎo)體芯片封裝壓力安裝在所述外殼和所述印刷電路板之間，

其中所述第一半導(dǎo)體芯片封裝包括多個(gè)引腳，所述多個(gè)引腳包括與所述緩沖墊片的上表面齊平且彎向所述緩沖墊片的上表面的部分；以及

其中所述緩沖墊片在至少兩側(cè)上覆蓋所述第一半導(dǎo)體芯片封裝的一部分。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率半導(dǎo)體設(shè)備，其中所述第一半導(dǎo)體芯片封裝包括發(fā)熱表面，所述發(fā)熱表面被定向使得所述發(fā)熱表面與所述外殼接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率半導(dǎo)體設(shè)備，其中所述發(fā)熱表面包括金屬表面。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率半導(dǎo)體設(shè)備，其中所述第一半導(dǎo)體芯片封裝包括被焊接到所述印刷電路板的多個(gè)引腳。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率半導(dǎo)體設(shè)備，其中所述緩沖墊片包括硅酮。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率半導(dǎo)體設(shè)備，其中所述印刷電路板利用緊固件被連接到所述外殼。

12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率半導(dǎo)體設(shè)備，還包括在所述第一半導(dǎo)體芯片封裝和所述外殼之間的隔離箔。

13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率半導(dǎo)體設(shè)備，還包括在所述外殼內(nèi)、與所述第一半導(dǎo)體芯片封裝橫向相鄰的第二半導(dǎo)體芯片封裝。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的功率半導(dǎo)體設(shè)備，其中所述第二半導(dǎo)體芯片封裝被壓力安裝在所述印刷電路板和所述外殼之間并且被電耦合到所述印刷電路板。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的功率半導(dǎo)體設(shè)備，還包括位于所述第一半導(dǎo)體芯片封裝和所述外殼之間以及所述第二半導(dǎo)體芯片封裝和所述外殼之間的隔離箔。

16.一種功率半導(dǎo)體組件，其包括：

第一半導(dǎo)體芯片封裝，其包括功率半導(dǎo)體芯片和外部接觸引線；和

覆在所述第一半導(dǎo)體芯片封裝的頂表面上的緩沖墊片，所述緩沖墊片由柔性、耐熱材料形成，其中所述外部接觸引線包括與所述緩沖墊片的上表面齊平且彎向所述緩沖墊片的上表面的部分；以及

其中所述緩沖墊片在至少兩側(cè)上覆蓋所述第一半導(dǎo)體芯片封裝的一部分。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的功率半導(dǎo)體組件，還包括被布置在所述第一半導(dǎo)體芯片封裝的底表面處的隔離箔，所述底表面與所述頂表面相對(duì)。

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的功率半導(dǎo)體組件，其中所述外部接觸引線從所述第一半導(dǎo)體芯片封裝的頂表面彎離朝向所述緩沖墊片的上表面。

19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的功率半導(dǎo)體組件，其中所述第一半導(dǎo)體芯片封裝的底表面包括導(dǎo)熱區(qū)域，所述底表面與所述頂表面相對(duì)。