[發(fā)明專利]用于EUV掩模版的表膜和多層反射鏡有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410077948.7 | 申請日： | 2011-03-17 |
| 公開（公告）號： | CN103901737B | 公開（公告）日： | 2017-08-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | A·亞庫寧;V·班尼恩;E·魯普斯特拉;H·范德斯庫特;L·史蒂文斯;M·范卡朋 | 申請（專利權(quán)）人： | ASML荷蘭有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20;G03F1/24;G03F1/62;G02B5/08;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021 | 代理人： | 張啟程 |
| 地址： | 荷蘭維*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 euv 模版 多層 反射 | ||
1.一種用于阻止碎片與EUV掩模版接觸的表膜，所述表膜包括石墨烯層，其中，所述表膜由表膜框架保持在離開掩模版一固定距離處；或者所述表膜定位在連接表膜的外邊緣的支撐部件上，所述支撐部件能夠從光刻設(shè)備和/或掩模版移除。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表膜，其中，所述石墨烯層由碳的單原子層形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表膜，其中，所述表膜包括多個石墨烯層。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的表膜，其中，所述表膜由形成石墨烯層的石墨烯薄片的無序布置形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的表膜，其中，所述石墨烯層中的石墨烯以均勻的方式摻雜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的表膜，其中，所述表膜由如下的交替層的疊層形成：支撐材料、石墨烯片、支撐材料、石墨烯片、支撐材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的表膜，其中，所述石墨烯片用作防擴(kuò)散阻擋層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的表膜，其中，所述石墨烯層包括石墨烯衍生物。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的表膜，其中，石墨烯衍生物來自包括石墨烯、石墨烯氟化物、石墨烯溴化物、石墨烯氯化物以及石墨烯碘化物的組。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設(shè)備
G03F7-00 圖紋面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工藝；圖紋面照相制版用的材料，如：含光致抗蝕劑的材料；圖紋面照相制版的專用設(shè)備
G03F7-004 .感光材料
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