[發明專利]晶體管結構及其制作方法

在審

• 申請號: 201410077873.2
• 申請日: 2014-03-05
• 公開（公告）號: CN104851917A
• 公開（公告）日: 2015-08-19
• 發明（設計）人: 高啟仁;彭玉容;王怡凱
• 申請（專利權）人: 緯創資通股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L23/552;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種晶體管結構，包括：

柵極，配置于一基板上；

絕緣層；

圖案化半導體層，該柵極的面積重疊該圖案化半導體層的面積，該絕緣層位于該柵極與該圖案化半導體層之間；

源極以及一漏極，彼此分離，且該源極與該漏極接觸于該圖案化半導體層；以及

光吸收層，該圖案化半導體層位于該光吸收層以及該基板之間，且該光吸收層的面積覆蓋該圖案化半導體層的面積，其中該光吸收層的吸收光譜波長重疊該圖案化半導體層的吸收光譜波長。

2.如權利要求1所述的晶體管結構，其中該光吸收層的吸收光譜波長由290nm至900nm。

3.如權利要求1所述的晶體管結構，其中該光吸收層的片電阻值介于10¹²歐姆/單位面積至10¹⁵歐姆/單位面積之間。

4.如權利要求1所述的晶體管結構，其中該光吸收層的材質包括黑色光致抗蝕劑或可吸收光線波長的深色材料，其中黑色光致抗蝕劑中的添加物包括染料、碳黑以及鈦金屬上述材料的任一。

5.如權利要求1所述的晶體管結構，其中該圖案化半導體層位于該柵極與該基板之間。

6.如權利要求5所述的晶體管結構，其中該光吸收層直接接觸該柵極。

7.如權利要求6所述的晶體管結構，其中該光吸收層的輪廓與該柵極的輪廓切齊。

8.如權利要求6所述的晶體管結構，其中該光吸收層由該柵極向外延伸至接觸于該絕緣層。

9.如權利要求8所述的晶體管結構，其中該絕緣層具有第一開口，該光吸收層具有第二開口，該第一開口與該第二開口連通以暴露出該漏極的一部分。

10.如權利要求5所述的晶體管結構，還包括一保護層，覆蓋該柵極以及該絕緣層，該柵極位于該保護層與該絕緣層之間。

11.如權利要求10所述的晶體管結構，其中該保護層位于該光吸收層與該基板之間。

12.如權利要求10所述的晶體管結構，其中該絕緣層具有第一開口，該保護層具有第二開口，該第一開口與該第二開口連通以暴露出該漏極的一部分。

13.如權利要求5所述的晶體管結構，其中該絕緣層具有開口，該開口暴露出該漏極的一部分。

14.如權利要求1所述的晶體管結構，其中該柵極位于該圖案化半導體層與該基板之間。

15.如權利要求14所述的晶體管結構，其中該光吸收層直接接觸該圖案化半導體層。

16.如權利要求15所述的晶體管結構，其中該光吸收層的輪廓與該圖案化半導體層的輪廓切齊。

17.如權利要求15所述的晶體管結構，其中該光吸收層由該圖案化半導體層向外延伸至接觸于該絕緣層。

18.如權利要求17所述的晶體管結構，其中該光吸收層具有開口，該開口暴露出該漏極的一部分。

19.如權利要求14所述的晶體管結構，還包括保護層，該保護層覆蓋該圖案化半導體層、該源極以及部分該漏極。

20.如權利要求19所述的晶體管結構，其中該保護層位于該光吸收層與該基板之間。

21.如權利要求19所述的晶體管結構，其中該保護層具有開口，該開口暴露另一部分該漏極。

22.如權利要求1所述的晶體管結構，其中該圖案化半導體層的材質包括有機半導體材料或無機半導體材料。

23.如權利要求1所述的晶體管結構，其中該圖案化半導體層的材質包括氧化物半導體材料。

24.如權利要求1所述的晶體管結構，其中該基板為可撓性基板。

25.如權利要求1所述的晶體管結構，其中該源極與該漏極接觸于該圖案化半導體層的接近該基板的一側。

26.如權利要求1所述的晶體管結構，其中該源極與該漏極接觸于該圖案化半導體層的遠離該基板的一側。