[發明專利]一種實用的電平轉換電路在審
| 申請號： | 201410077670.3 | 申請日： | 2014-03-04 |
| 公開（公告）號： | CN103888126A | 公開（公告）日： | 2014-06-25 |
| 發明（設計）人： | 劉成軍 | 申請（專利權）人： | 東莞博用電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H03K19/0185 | 分類號： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人： | 周詳 |
| 地址： | 523808 廣東省東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 實用 電平 轉換 電路 | ||
【權利要求書】：
1.一種實用的電平轉換電路，其特征在于：包括電流漏電路、施密特觸發器、PMOS管（MP1）、PMOS管（MP2）、NMOS管（MN1）；
所述PMOS管（MP1）源極、PMOS管（MP2）源極、施密特觸發器的高電平腳均與邏輯高電平（VDD1）連接，所述PMOS管（MP1）柵極、PMOS管（MP2）柵極、PMOS管（MP1）漏極均與電流漏電路的輸入端連接，所述PMOS管（MP2）漏極、NMOS管（MN1）漏極均與施密特觸發器的輸入端連接，所述電流漏電路的輸出端、NMOS管（MN1）源極、施密特觸發器的低電平腳均與邏輯低電平（VSS）連接；所述輸入信號（IN）與NMOS管（MN1）柵極連接，所述輸出信號（OUT）與施密特觸發器的輸出端連接。
2.根據權利要求1所述的實用的電平轉換電路，其特征在于：所述NMOS管（MN1）為耐高壓MOS管，且NMOS管（MN1）柵極的額定耐壓電壓大于所述輸入信號（IN）的電壓。
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