[發明專利]一種復雜介質條件下自發射γ射線的自吸收校正方法有效
| 申請號: | 201410077524.0 | 申請日: | 2014-03-05 |
| 公開(公告)號: | CN103901460A | 公開(公告)日: | 2014-07-02 |
| 發明(設計)人: | 甘霖;何麗霞;隋洪志;陳立軍 | 申請(專利權)人: | 中國原子能科學研究院 |
| 主分類號: | G01T1/00 | 分類號: | G01T1/00;G01T1/167 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 102413 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 復雜 介質 條件下 發射 射線 吸收 校正 方法 | ||
1.一種復雜介質條件下自發射γ射線的自吸收校正方法,其特征在于,其包括以下步驟:
步驟a1,在無自吸收條件下,測量不同能量γ射線的探測效率及各能量參數;
步驟a2,將測量得到所述各能量參數的計數率換算成活度,作為初始活度值;
步驟a3,以每條特征γ射線得到的初始活度與分支比最大的γ射線對應的初始活度相比,得到該待測條件下的一組比值Smi(Tm,Ei);
步驟a4,利用所述比值Smi(Tm,Ei),得到所述每條特征γ射線的自吸收因子;
步驟a5,根據所述每條特征γ射線的自吸收因子得出所述每條特征γ射線對應的放射性同位素活度fim;
步驟a6,將所述放射性同位素活度fim換算成放射性同位素的質量。
2.根據權利要求1所述的一種復雜介質條件下自發射γ射線的自吸收校正方法,其特征在于,所述步驟a1中,在無自吸收條件下,測量不同能量γ射線的探測效率計算公式為:
式中,εi為測量系統對特定能量γ射線的探測效率;Ci為測量系統測到某條γ射線的總計數;A為被測對象的比活度,單位取Bq·g-1;Bi為特定能量γ射線的分支比,用百分比表示;t為測量時間,單位取s;w為被測對象的質量,單位取g;Gij為被測對象中某γ射線的自吸收因子,無自吸收時,Gij=1;Ω為測量幾何條件,含立體角;j=1,...,n;代表不同質量厚度;i=1,...,L,代表不同能量。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國原子能科學研究院,未經中國原子能科學研究院許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410077524.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種高導熱石墨膜的制備方法
- 下一篇:一種熒光碳納米顆粒及其制備方法與應用





