[發(fā)明專利]中空非轉(zhuǎn)移式等離子體炬

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410077514.7
• 申請(qǐng)日: 2014-03-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104039064A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃淳謨;金永奭;俞炳周;金明圭;都喆鎮(zhèn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: GS普蘭斯特有限公司
• 主分類號(hào): H05H1/26
• 分類號(hào): H05H1/26
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會(huì)華

1.一種中空非轉(zhuǎn)移式等離子體炬，其包括：

后炬單元；以及

前炬單元，

其中，所述后炬單元包括：后電極殼，其兩側(cè)均為開(kāi)口的；中空的后電極體，其固定在所述后電極殼的內(nèi)部；磁線圈，其圍繞與所述后電極體相對(duì)應(yīng)的所述后電極殼纏繞；以及后電極蓋，其插入所述后電極殼的開(kāi)口側(cè)并且可拆卸地形成于所述后電極體的一端部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中空非轉(zhuǎn)移式等離子體炬，其特征在于，所述磁線圈通過(guò)產(chǎn)生磁場(chǎng)而將所述中空非轉(zhuǎn)移式等離子體炬中的等離子弧導(dǎo)引到所述后電極蓋。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中空非轉(zhuǎn)移式等離子體炬，其特征在于，所述后電極蓋可拆卸地聯(lián)接到所述后電極殼的內(nèi)側(cè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中空非轉(zhuǎn)移式等離子體炬，其特征在于，所述中空非轉(zhuǎn)移式等離子體炬進(jìn)一步包括：

絕緣體，通過(guò)所述后炬單元和所述前炬單元將所述絕緣體擠壓并固定在所述后炬單元和所述前炬單元之間；

外殼，在所述外殼中容納所述后炬單元和所述絕緣體，所述外殼的一側(cè)開(kāi)口，所述外殼的另一側(cè)聯(lián)接到所述前炬單元；以及

殼蓋，其在所述外殼的一側(cè)聯(lián)接到所述外殼。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的中空非轉(zhuǎn)移式等離子體炬，其特征在于，所述中空非轉(zhuǎn)移式等離子體炬進(jìn)一步包括：

后炬冷卻單元，其形成于所述后電極殼的一端部，以將冷卻水注入所述后電極殼中并且從所述后電極殼中排出冷卻水；以及

第一冷卻水流動(dòng)空間，其形成于所述后電極殼內(nèi)部并且與所述后炬冷卻單元連通。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的中空非轉(zhuǎn)移式等離子體炬，其特征在于，所述后炬冷卻單元的一端部穿過(guò)所述殼蓋，以露出到所述外殼的外側(cè)。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的中空非轉(zhuǎn)移式等離子體炬，其特征在于，所述前炬單元包括：

前電極殼，所述前電極殼的一側(cè)聯(lián)接到所述外殼的另一側(cè)以擠壓所述絕緣體，

中空的前電極，在所述前電極殼的內(nèi)部，所述前電極的一側(cè)安裝于所述絕緣體，以及

固定單元，所述前電極的另一側(cè)和所述前電極殼安裝于所述固定單元，所述固定單元可拆卸地聯(lián)接到所述前電極殼的另一側(cè)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的中空非轉(zhuǎn)移式等離子體炬，其特征在于，所述中空非轉(zhuǎn)移式等離子體炬進(jìn)一步包括：

前炬冷卻單元，其形成于所述外殼，以將冷卻水注入所述前電極殼中并且從所述前電極殼中排出冷卻水；以及

第二冷卻水流動(dòng)空間，其形成于所述前電極殼內(nèi)部并且與所述前炬冷卻單元連通。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的中空非轉(zhuǎn)移式等離子體炬，其特征在于，所述前電極和所述后電極體以在同一軸線上彼此間隔開(kāi)的方式配置。

10.一種中空非轉(zhuǎn)移式等離子體炬，其包括：

后炬單元；以及

前炬單元，

其中，所述后炬單元包括：后電極殼，其兩側(cè)均為開(kāi)口的；中空的后電極體，其固定在所述后電極殼的內(nèi)部；以及磁線圈，其圍繞與所述后電極體相對(duì)應(yīng)的所述后電極殼纏繞，并且通過(guò)產(chǎn)生磁場(chǎng)將所述中空非轉(zhuǎn)移式等離子體炬中的等離子弧導(dǎo)引到所述后電極體的一端部。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的中空非轉(zhuǎn)移式等離子體炬，其特征在于，所述中空非轉(zhuǎn)移式等離子體炬進(jìn)一步包括：

后電極蓋，其插入所述后電極殼的開(kāi)口側(cè)并且可拆卸地形成于所述后電極體的一端部。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的中空非轉(zhuǎn)移式等離子體炬，其特征在于，所述磁線圈進(jìn)一步形成為圍繞與所述后電極蓋相對(duì)應(yīng)的所述后電極殼。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的中空非轉(zhuǎn)移式等離子體炬，其特征在于，所述磁線圈將所述等離子弧均勻地導(dǎo)引到所述后電極蓋。