[發明專利]一種肖特基二極管及其制造方法

有效

• 申請號: 201410077494.3
• 申請日: 2014-03-05
• 公開（公告）號: CN104900718B
• 公開（公告）日: 2018-04-17
• 發明（設計）人: 汪銘;程勇;曹國豪;馬千成;滕麗華
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙)31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種肖特基二極管，其特征在于，所述肖特基二極管至少包括：

半導體結構，具有第一傳導類型和第一摻雜濃度；

第一環狀淺溝槽隔離，具有從所述半導體結構的上表面延伸至所述半導體結構內的第一深度；

第一環狀摻雜區，具有從所述半導體結構的上表面垂直延伸至所述半導體結構內的第二深度、第二傳導類型和第二摻雜濃度，橫向地位于所述第一環狀淺溝槽隔離的內側，所述第二傳導類型與所述第一傳導類型相反，所述第二深度大于所述第一深度；

第二環狀摻雜區，具有從所述半導體結構的上表面垂直延伸至所述半導體結構內的第三深度、第一傳導類型和第三摻雜濃度，從所述半導體結構的內部橫向地包圍所述第一環狀淺溝槽隔離，所述第三摻雜濃度大于所述第一摻雜濃度；

第一金屬區域，接觸所述第二環狀摻雜區的上表面且與所述第二環狀摻雜區重疊；

第二金屬區域，從所述半導體結構的上表面延伸至所述半導體結構內，并且橫向地位于所述第一環狀淺溝槽隔離的內側；

所述肖特基二極管還包括：第三環狀摻雜區，具有從所述半導體結構的上表面垂直延伸至所述半導體結構內的第四深度、第二傳導類型和第四摻雜濃度，位于所述第二金屬區域的下表面，且與所述第一環狀摻雜區重疊，所述第四摻雜濃度大于所述第二摻雜濃度，所述第四深度小于所述第二深度。

2.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，所述第三深度小于所述第二深度。

3.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，所述肖特基二極管還包括：第二環狀淺溝槽隔離，從所述半導體結構的內部橫向地包圍所述第二環狀摻雜區。

4.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，所述肖特基二極管還包括：

多個第一接觸件，與所述第一金屬區域電接觸；

多個第二接觸件，與所述第二金屬區域電接觸。

5.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，所述第一金屬區域和所述第二金屬區域位于同一個平面內。

6.一種權利要求1所述的肖特基二極管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

形成包括具有第一深度的第一環狀淺溝槽隔離以及具有第一傳導類型和第一摻雜濃度的半導體結構；

沿著所述第一環狀淺溝槽隔離的內側形成具有從所述半導體結構的上表面垂直延伸至所述半導體結構內的第二深度、第二傳導類型和第二摻雜濃度的第一環狀摻雜區，所述第二傳導類型與所述第一傳導類型相反，所述第二深度大于所述第一深度；

沿著所述第一環狀淺溝槽隔離的外周形成包圍所述第一環狀淺溝槽隔離的第二環狀摻雜區，所述第二環狀摻雜區具有從所述半導體結構的上表面垂直延伸至所述半導體結構內的第三深度、第一傳導類型和第三摻雜濃度，所述第三摻雜濃度大于所述第一摻雜濃度；

在所述第二環狀摻雜區的上表面形成第一金屬區域；

在所述第一環狀淺溝槽隔離的內側形成覆蓋所述第一環狀摻雜區和所述第一環狀摻雜區的內側區域的第二金屬區域；

其中，還包括向所述第一環狀摻雜區注入第二傳導類型的離子，以在所述第一環狀摻雜區的上表面形成具有從所述半導體結構的上表面垂直延伸至所述半導體結構內的第四深度、第二傳導類型和第四摻雜濃度的第三環狀摻雜區的步驟，所述第四摻雜濃度大于所述第二摻雜濃度，所述第四深度小于所述第二深度。

7.根據權利要求6所述的肖特基二極管的制造方法，其特征在于，所述第三深度小于所述第二深度。

8.根據權利要求6所述的肖特基二極管的制造方法，其特征在于，沿著所述第一環狀淺溝槽隔離的內側形成具有從所述半導體結構的上表面垂直延伸至所述半導體結構內的第二深度、第二傳導類型和第二摻雜濃度的第一環狀摻雜區進一步包括：

在所述半導體結構的上表面形成絕緣層；

刻蝕所述絕緣層，以形成第一開口，所述第一開口的尺寸與所述第一環狀摻雜區的上表面的尺寸相同；

以所述絕緣層為掩膜，向所述第一開口注入第二傳導類型的離子，形成具有從所述半導體結構的上表面垂直延伸至所述半導體結構內的第二深度、第二傳導類型和第二摻雜濃度的第一環狀摻雜區。

9.根據權利要求8所述的肖特基二極管的制造方法，其特征在于，所述第二傳導類型的離子包括：硼、銦和鋁。