[發明專利]交叉柵結構MOSFET及多叉指柵結構MOSFET的版圖設計有效
| 申請號： | 201410077465.7 | 申請日： | 2014-03-04 |
| 公開（公告）號： | CN104899343B | 公開（公告）日： | 2018-07-20 |
| 發明（設計）人： | 陳靜;呂凱;羅杰馨;何偉偉;楊燕;柴展;王曦 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 交叉 結構 mosfet 多叉指柵 版圖 設計 | ||
1.一種交叉柵結構MOSFET的版圖，其特征在于，包括：
半導體襯底、十字形交叉柵結構、源區及漏區；
所述十字形交叉柵結構包括第一條狀柵及與所述第一條狀柵垂直的第二條狀柵，所述第一條狀柵及第二條狀柵將所述半導體襯底隔成四個區域；所述源區及漏區交替排列于所述四個區域。
2.根據權利要求1所述的交叉柵結構MOSFET的版圖，其特征在于：所述十字形交叉柵結構的末端為兩端互連、三端互連或四端互連。
3.根據權利要求1所述的交叉柵結構MOSFET的版圖，其特征在于：所述十字形交叉柵結構包括結合于所述半導體襯底表面的介質層以及結合于所述介質層表面的電極層。
4.根據權利要求1所述的交叉柵結構MOSFET的版圖，其特征在于：所述源區及漏區的形狀為矩形。
5.根據權利要求1所述的交叉柵結構MOSFET的版圖，其特征在于：所述源區及漏區的形狀為沿所述十字形交叉柵結構的邊緣分布的框形。
6.根據權利要求1所述的交叉柵結構MOSFET的版圖，其特征在于：各該源區通過金屬互聯線短接，各該漏區通過金屬互聯線短接。
7.一種多叉指柵結構MOSFET的版圖，其特征在于，包括：
半導體襯底、多叉指柵結構、源區及漏區；
所述多叉指柵結構包括第一條狀柵及與所述第一條狀柵垂直的多個第二條狀柵，所述第一條狀柵及第二條狀柵將所述半導體襯底隔成多個區域；所述源區及漏區交替排列于所述多個區域。
8.根據權利要求7所述的多叉指柵結構MOSFET的版圖，其特征在于：所述多叉指柵結構的多個末端為部分互連或全部互連。
9.根據權利要求7所述的多叉指柵結構MOSFET的版圖，其特征在于：所述多叉指柵結構包括結合于所述半導體襯底表面的介質層以及結合于所述介質層表面的電極層。
10.根據權利要求7所述的多叉指柵結構MOSFET的版圖，其特征在于：各該源區通過金屬互聯線短接，各該漏區通過金屬互聯線短接。
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