[發(fā)明專利]自對準雙重圖形化方法及鰭式場效應晶體管的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410076954.0
• 申請日: 2014-03-04
• 公開（公告）號: CN104900495B
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發(fā)明（設計）人: 何永根
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種自對準雙重圖形化方法，其特征在于，包括：

提供待刻蝕材料層；

在所述待刻蝕材料層上依次形成第一犧牲層和光刻膠圖案；

以所述光刻膠圖案為掩模，刻蝕所述第一犧牲層以形成第一犧牲層圖案；

去除所述光刻膠圖案，在所述待刻蝕材料層上形成覆蓋所述第一犧牲層圖案的掩膜材料層；

在所述掩膜材料層上形成第二犧牲層，所述第二犧牲層的材料包括DUO、光刻膠或底部抗反射材料；在所述第一犧牲層圖案的材料為底部抗反射材料、且第二犧牲層的材料為底部抗反射材料時，則所述第二犧牲層的材料與所述第一犧牲層圖案的材料相同；

去除位于所述第一犧牲層圖案上的所述第二犧牲層和所述掩膜材料層；

去除剩余的所述第二犧牲層；

刻蝕剩余的所述掩膜材料層直至暴露出所述待刻蝕材料層；

去除所述第一犧牲層圖案；

以剩余的所述掩膜材料層為掩模刻蝕所述待刻蝕材料層；

其中，去除所述第一犧牲層圖案包括：

在去除位于所述第一犧牲層圖案上的第二犧牲層和掩膜材料層之后且在刻蝕剩余的所述掩膜材料層直至暴露出所述待刻蝕材料層之前，去除部分厚度的所述第一犧牲層圖案；

在刻蝕剩余的所述掩膜材料層直至暴露出所述待刻蝕材料層之后且在刻蝕所述待刻蝕材料層之前，去除剩余的所述第一犧牲層圖案。

2.如權(quán)利要求1所述的自對準雙重圖形化方法，其特征在于，所述第一犧牲層的材料為底部抗反射材料，所述第一犧牲層的厚度包括500埃～1500埃。

3.如權(quán)利要求1所述的自對準雙重圖形化方法，其特征在于，所述第二犧牲層的厚度包括2000埃～5000埃。

4.如權(quán)利要求3所述的自對準雙重圖形化方法，其特征在于，所述第二犧牲層的材料為DUO或光刻膠，采用CLK888溶液或SPM溶液去除剩余的所述第二犧牲層。

5.如權(quán)利要求3所述的自對準雙重圖形化方法，其特征在于，所述第二犧牲層的材料為底部抗反射材料，采用含氟氣體的反應離子刻蝕工藝去除剩余的所述第二犧牲層。

6.如權(quán)利要求1或3所述的自對準雙重圖形化方法，其特征在于，采用旋涂工藝形成所述第二犧牲層。

7.如權(quán)利要求1所述的自對準雙重圖形化方法，其特征在于，所述掩膜材料層的材料包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一種或多種。

8.如權(quán)利要求1所述的自對準雙重圖形化方法，其特征在于，采用回刻工藝或者化學機械研磨工藝去除位于所述第一犧牲層圖案上的所述第二犧牲層和所述掩膜材料層。

9.一種鰭式場效應晶體管的制作方法，其特征在于，所述鰭式場效應晶體管包括鰭部，采用如權(quán)利要求1至8中任一項所述的自對準雙重圖形化方法形成所述鰭部。