[發明專利]存儲器及其驅動電路有效
| 申請號： | 201410076847.8 | 申請日： | 2014-03-04 |
| 公開（公告）號： | CN104900263B | 公開（公告）日： | 2019-03-29 |
| 發明（設計）人： | 權彞振;倪昊;鄭大燮;金鳳吉 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/06 | 分類號： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲器 及其 驅動 電路 | ||
1.一種存儲器的驅動電路，其特征在于，包括：電平移位單元及襯底偏置單元；
所述電平移位單元包括適于輸入訪問電平的第一節點、適于輸入襯底偏置電平的第二節點及適于輸出驅動電平的第三節點，所述第三節點連接至所述存儲器中的字線或位線；
所述襯底偏置單元適于提供所述襯底偏置電平，所述襯底偏置電平小于所述訪問電平；
所述電平移位單元包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；
所述第一PMOS管和第二PMOS管源極相連至所述第一節點，襯底相連至所述第二節點；所述第一NMOS管的柵極連接至一高壓電平，其襯底與所述第二NMOS管的源極及襯底相連至地，所述第一NMOS管的源極和第二NMOS管的柵極相連至一可變電平，所述可變電平在所述訪問電平有效時為低壓電平；
所述第一PMOS管的漏極及第一NMOS管的漏極相連至所述第二PMOS管的柵極，所述第二PMOS管的漏極、第二NMOS管的漏極及第一PMOS管的柵極連接至所述第三節點。
2.如權利要求1所述的存儲器的驅動電路，其特征在于，所述訪問電平為編程電平或讀取電平時有效。
3.如權利要求1所述的存儲器的驅動電路，其特征在于，所述襯底偏置電平與訪問電平的差值范圍為0.6V～0.8V。
4.如權利要求1所述的存儲器的驅動電路，其特征在于，所述襯底偏置單元包括：壓降單元及泄放單元；
所述壓降單元的一端適于連接所述訪問電平以接收所述訪問電平，另一端適于在所述訪問電平有效時提供所述襯底偏置電平；
所述泄放單元適于在所述訪問電平失效時實現所述襯底偏置電平的泄放。
5.如權利要求4所述的存儲器的驅動電路，其特征在于，所述壓降單元包括：第三NMOS管；
所述第三NMOS管的漏極適于連接所述訪問電平，源極適于提供所述襯底偏置電平，柵極連接至第一控制電平；所述第一控制電平在所述訪問電平有效時為高電平。
6.如權利要求4所述的存儲器的驅動電路，其特征在于，所述泄放單元包括：第四NMOS管；
所述第四NMOS管的漏極連接至所述壓降單元的襯底偏置電平提供端，源極至地，柵極連接至第二控制電平；所述第二控制電平在所述訪問電平失效時為高電平。
7.如權利要求6所述的存儲器的驅動電路，其特征在于，所述泄放單元還包括：二極管連接的第五NMOS管；所述第四NMOS管的漏極通過所述第五NMOS管連接至所述襯底偏置電平提供端。
8.如權利要求5所述的存儲器的驅動電路，其特征在于，所述泄放單元還包括：第四NMOS管；
所述第四NMOS管的漏極連接至所述壓降單元的襯底偏置電平提供端，源極至地，柵極連接至第二控制電平；所述第二控制電平在所述訪問電平失效時為高電平。
9.如權利要求8所述的存儲器的驅動電路，其特征在于，所述襯底偏置單元還包括：控制單元；
所述控制單元適于提供所述第一控制電平與第二控制電平，所述第二控制電平為第一控制電平的反相電平。
10.一種存儲器，其特征在于，包括：存儲陣列及如權利要求1至8任一項所述的驅動電路；
所述存儲陣列包括字線和位線，所述驅動電路適于根據所述訪問電平在所述字線或位線上加載相應驅動電平。
11.如權利要求10所述的存儲器，其特征在于，所述電平移位單元有多個，包括第一類電平移位單元和第二類電平移位單元，所述第一類電平移位單元對應并通過其第三節點連接至一條字線，所述第二類電平移位單元對應并通過其第三節點連接至一條位線。
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