[發明專利]柵氧化層失效點的定位方法

有效

• 申請號: 201410076780.8
• 申請日: 2014-03-04
• 公開（公告）號: CN103926264A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發明（設計）人: 李桂花;仝金雨;劉君芳;郭偉;李劍
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: G01N23/22
• 分類號: G01N23/22;H01L21/66
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 吳俊

1.一種柵氧化層失效點的定位方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1，提供一具有柵氧化層和依次位于該柵氧化層上方的柵極、絕緣層和金屬層的待測半導體結構，且所述柵氧化層中具有失效點；

步驟S2，去除所述金屬層后，利用加速電壓形成的電子束掃描剩余的待測半導體結構得到一具有失效點圖形的電鏡圖，并根據該電鏡圖確定所述失效點在所述柵氧化層中的位置。

2.如權利要求1所述的柵氧化層失效點的定位方法，其特征在于，所述加速電壓的值大于5KV且小于等于30KV。

3.如權利要求1所述的柵氧化層失效點的定位方法，其特征在于，所述方法還包括：

先利用一顯微鏡得到所述待測半導體結構的光學圖片，并將該光學圖片的失效點圖像予以標記后，繼續去除所述金屬層；

根據所述光學圖片中標記的失效點圖像得到所述失效點在所述剩余的待測半導體結構中的位置區域；

利用加速電壓形成的電子束掃描所述剩余的待測半導體結構中的所述位置區域得到一具有失效點圖形的電鏡圖，并根據該電鏡圖確定所述失效點在所述柵氧化層中的位置。

4.如權利要求3所述的柵氧化層失效點的定位方法，其特征在于，所述顯微鏡為光發射顯微鏡或激光誘導顯微鏡。

5.如權利要求1所述的柵氧化層失效點的定位方法，其特征在于，在所述加速電壓條件下，利用一掃描電鏡檢測器發射的電子束掃描所述剩余的待測半導體結構得到所述具有失效點圖形的電鏡圖。

6.如權利要求1所述的柵氧化層失效點的定位方法，其特征在于，所述方法還包括：

提供一所述待測半導體結構，并利用擊穿電壓測試工藝，于所述柵氧化層中形成所述失效點。

7.如權利要求6所述的柵氧化層失效點的定位方法，其特征在于，所述失效點為進行擊穿電壓測試時所述柵氧化層上形成的擊穿點。

8.如權利要求1所述的柵氧化層失效點的定位方法，其特征在于，所述方法還包括：

通過對比所述電鏡圖中圖形的明暗程度來確定所述失效點圖形的位置。

9.如權利要求8所述的柵氧化層失效點的定位方法，其特征在于，在所述電鏡圖中，所述失效點位置的圖形相對于所述柵氧化層中的其他位置處的圖形較暗。

10.如權利要求1所述的柵氧化層失效點的定位方法，其特征在于，所述待測半導體結構位于晶圓的切割道中。