[發明專利]固定電壓產生電路

有效

• 申請號: 201410076779.5
• 申請日: 2014-03-05
• 公開（公告）號: CN104035466A
• 公開（公告）日: 2014-09-10
• 發明（設計）人: 陳智圣
• 申請（專利權）人: 立積電子股份有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 上海市錦天城律師事務所 31273
• 代理人: 劉民選;龐璐

技術領域

本發明系有關于一種固定電壓產生電路，尤指一種適用于砷化鎵(GaAs)制程的固定電壓產生電路。

背景技術

砷化鎵制程可制作出具有良好性能及高效率的RF功率放大器。其特點包括在高頻工作時不易產生信號失真、噪聲值低、功率耗損小、增益值大及組件面積小等，因此可以達到組件小、高效率、低耗電等效果，適合應用在手機及各項通訊設備產品。

為使砷化鎵功率放大器在大范圍輸入電壓變動的情形下仍可正常動作，便需要提供穩定電壓給功率放大器以確保其工作正常。

通常固定電壓產生電路使用CMOS制程，其中會使用到PMOS。然而PMOS并不適合用在砷化鎵制程，因此無法整合此固定電壓產生電路于同一砷化鎵制程，而需另外提供一個由CMOS制程制作的固定電壓產生電路以提供砷化鎵功率放大器穩定電壓。如此會增加制程所需要的面積及降低集成度(integration)。

發明內容

為了克服現有技術中存在的缺陷，本發明公開一種固定電壓產生電路，包含第一電阻、第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第二電阻及第三電阻。第一電阻包含第一端及第二端，該第一電阻的第二端耦接于電壓源。第一晶體管包含第一端、第二端，以及控制端，第一晶體管的控制端耦接于第一電阻的第一端，第一晶體管的第一端耦接于一接地端，第一晶體管的第二端耦接于第一晶體管的控制端。第二晶體管包含第一端、第二端，以及控制端，第二晶體管的控制端耦接于第一晶體管的控制端，第二晶體管的第一端耦接于接地端。第三晶體管包含第一端、第二端，以及控制端，第三晶體管的控制端用以接收第一差動電壓，第三晶體管的第一端耦接于第二晶體管的第二端。第四晶體管包含第一端、第二端，以及控制端，第四晶體管的控制端用以接收第二差動電壓，第四晶體管的第一端耦接于第二晶體管的第二端。第二電阻包含第一端以及第二端，第二電阻的第一端耦接于第三晶體管的第二端，第二電阻的第二端耦接于電壓源。第三電阻包含第一端以及第二端，第三電阻的第一端耦接于第四晶體管的第二端，第三電阻的第二端耦接于電壓源。其中第二電阻的阻值及第三電阻的阻值與第一電阻的阻值有關。

更進一步的，該固定電壓產生電路還包含第四電阻，該第四電阻包含第一端及第二端，該第四電阻的第一端耦接于該第二電阻的第二端及該第三電阻的第二端，及該第四電阻的第二端耦接于該電壓源。

更進一步的，該固定電壓產生電路還包含第五電阻，耦接于該第三晶體管的第一端與該第二晶體管的第二端之間；及第六電阻，耦接于該第四晶體管的第一端與該第二晶體管的第二端之間。

更進一步的，該第二電阻、該第三電阻，及該第四電阻的等效阻值等于該第一電阻的阻值，且該第一晶體管及該第二晶體管的尺寸比例系為1:1。

更進一步的，該第二電阻與該第三電阻的等效阻值等于該第一電阻的阻值，該第一晶體管及該第二晶體管的尺寸比例系為1:1。

更進一步的，該固定電壓產生電路，另包含n個二極管，耦接于該電壓源與該第一晶體管的控制端之間，其中n為正整數。

更進一步的，該些二極管可為接面二極管、場效晶體管或雙極性接面晶體管。

更進一步的，該第一晶體管及該第二晶體管形成一電流鏡，該第一晶體管及該第二晶體管的尺寸比例系為1:N或N:1，N為正整數。

更進一步的，該固定電壓產生電路為使用一砷化鎵制程。

與現有技術相比較，本發明提出的固定電壓產生電路可產生穩定的輸出電壓，而且不會隨著電壓源的變動而產生變化，因此可以在大范圍輸入電壓變動的情形下正常地工作。另外，本發明亦可透過串聯多個二極管來調整輸出電壓的電壓值以符合系統的需求。由于本發明系藉由調整多個電阻之阻值的比例以及電阻連接于電壓源的方式來提供輸出電壓，因此可以在砷化鎵制程中產生固定電壓，而不須另使用CMOS制程，如此可減少制程所需要的面積及增加集成度。

附圖說明

關于本發明的優點與精神可以通過以下的發明詳述及所附圖式得到進一步的了解。

圖1：本發明一實施例之固定電壓產生電路的電路圖。

圖2：本發明一實施例之固定電壓產生電路的電路圖。

圖3：本發明一實施例之固定電壓產生電路的電路圖。

圖4：本發明一實施例之固定電壓產生電路的電路圖。

圖5：本發明一實施例之固定電壓產生電路的電路圖。

圖6：一利用場效晶體管實現二極管的電路圖。

圖7：一利用雙極性接面晶體管實現二極管的電路圖。

圖8：本發明一實施例之固定電壓產生電路的電路圖。