[發明專利]一種提高光學鄰近效應修正模型精度的方法

在審

• 申請號: 201410076758.3
• 申請日: 2014-03-04
• 公開（公告）號: CN103777460A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 盧意飛
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;林彥之

1.一種提高光學鄰近效應修正模型精度的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S01：在晶圓上進行采樣，得到一組量測數據值；

步驟S02：對所述量測數據值進行處理，過濾掉不可信的采樣點的量測數據；

步驟S03：基于所述處理過的量測數據值建立初始OPC模型，計算每個采樣點的模型數據值的原始殘余誤差；

步驟S04：利用所述原始殘余誤差的平方值或立方值得到所述修正后的殘余誤差均方根；

步驟S05：利用所述修正后的殘余誤差均方根引導算法進行光學系統的模擬，從而得到修正后的OPC模型。

2.根據權利要求1所述的提高光學鄰近效應修正模型精度的方法，其特征在于，所述步驟S04中，利用所述原始殘余誤差的平方值得到修正后的殘余誤差均方根時，采用以下公式：M=[(MRE1²)²+(MRE²)²+…+(MREn²)²]^1/2，其中，MRE1、MRE2、…、MREn分別表示第1個采樣點、第2個采樣點、…、第n個采樣點的所述原始殘余誤差，M表示所述修正后的殘余誤差均方根。

3.根據權利要求1所述的提高光學鄰近效應修正模型精度的方法，其特征在于，所述步驟S04中，利用所述原始殘余誤差的立方值得到修正后的殘余誤差均方根時，采用以下公式：M=[(MRE1³)²+(MRE³)²+…+(MREn³)²]^1/2，其中，MRE1、MRE2、…、MREn分別表示第1個采樣點、第2個采樣點、…、第n個采樣點的所述原始殘余誤差，M表示所述修正后的殘余誤差均方根。

4.根據權利要求1所述的提高光學鄰近效應修正模型精度的方法，其特征在于，所述在晶圓上進行采樣的圖形同時包括若干一維圖形和若干二維圖形。

5.根據權利要求4所述的提高光學鄰近效應修正模型精度的方法，其特征在于，所述一維圖形和所述二維圖形包括若干種不同的特征圖形。

6.根據權利要求1所述的提高光學鄰近效應修正模型精度的方法，其特征在于，所述步驟S02包括：對同一圖形的幾個不同的重復單元位置進行多次量測后求平均值，并去除多次量測過程中波動較大的采樣點的量測數據，以及去除明顯小于設計規則尺寸的采樣點的量測數據。